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遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功 ～GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張～

2時間前 東京理科大学