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「IGBT」に関するプレスリリース一覧
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業界トップクラス(※)の低損失特性・高短絡耐量を実現した1200V IGBTを開発
2024年11月7日 09時00分
ローム株式会社
12月19日(木)AndTech「SiC/GaNパワー半導体デバイスの市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術【希望日にアーカイブ視聴可能】」を開講予定
2024年10月31日 12時11分
AndTech
オンセミ、再生可能エネルギーアプリケーション設計の簡素化とコスト削減を実現する、第7世代IGBTモジュールを発表
2024年6月12日 10時30分
オンセミ
パワー半導体LV100タイプの採用検討期間を短縮するデータの提供開始
2024年6月6日 13時00分
三菱電機株式会社
オンセミ、冷暖房のエネルギー消費を削減する第7世代IGBTベースのインテリジェントパワーモジュールを発表
2024年2月27日 09時40分
オンセミ
パワーモジュールの生産拠点を拡大し、安定供給に貢献
2024年1月12日 16時30分
富士通ゼネラル
SiC、IGBTを追加、業界最多(※)の3,500製品を超えるLTspice®モデルを提供
2023年10月12日 09時17分
ローム株式会社
堅牢性に優れた高効率の1350V耐圧 IGBTを発表
2023年9月11日 17時20分
STマイクロエレクトロニクス
保護機能付きの電力変換とIGBT / SiC / GaNトランジスタのゲート駆動向けに絶縁型バック・コンバータICを発表
2023年5月12日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
オンセミ、産業市場向けに業界をリードする性能を備えたIGBT FS7スイッチプラットフォームを開発
2023年3月22日 11時10分
オンセミ
もっと見る
業界トップクラス(※)の低損失特性・高短絡耐量を実現した1200V IGBTを開発
2024年11月7日 09時00分
ローム株式会社
12月19日(木)AndTech「SiC/GaNパワー半導体デバイスの市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術【希望日にアーカイブ視聴可能】」を開講予定
2024年10月31日 12時11分
AndTech
オンセミ、再生可能エネルギーアプリケーション設計の簡素化とコスト削減を実現する、第7世代IGBTモジュールを発表
2024年6月12日 10時30分
オンセミ
パワー半導体LV100タイプの採用検討期間を短縮するデータの提供開始
2024年6月6日 13時00分
三菱電機株式会社
オンセミ、冷暖房のエネルギー消費を削減する第7世代IGBTベースのインテリジェントパワーモジュールを発表
2024年2月27日 09時40分
オンセミ
パワーモジュールの生産拠点を拡大し、安定供給に貢献
2024年1月12日 16時30分
富士通ゼネラル
SiC、IGBTを追加、業界最多(※)の3,500製品を超えるLTspice®モデルを提供
2023年10月12日 09時17分
ローム株式会社
堅牢性に優れた高効率の1350V耐圧 IGBTを発表
2023年9月11日 17時20分
STマイクロエレクトロニクス
保護機能付きの電力変換とIGBT / SiC / GaNトランジスタのゲート駆動向けに絶縁型バック・コンバータICを発表
2023年5月12日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
オンセミ、産業市場向けに業界をリードする性能を備えたIGBT FS7スイッチプラットフォームを開発
2023年3月22日 11時10分
オンセミ
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