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STマイクロエレクトロニクス、IGBTおよびSiC MOSFET向けの柔軟な保護を実現する先進的なガルバニック絶縁ゲート・ドライバSTGAP3Sを発表

2024年12月12日 17時00分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

業界トップクラス(※)の低損失特性・高短絡耐量を実現した1200V IGBTを開発

2024年11月7日 09時00分 ローム株式会社 　　 　　

12月19日(木)AndTech「SiC/GaNパワー半導体デバイスの市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術【希望日にアーカイブ視聴可能】」を開講予定

2024年10月31日 12時11分 AndTech 　　 　　

オンセミ、再生可能エネルギーアプリケーション設計の簡素化とコスト削減を実現する、第7世代IGBTモジュールを発表

2024年6月12日 10時30分 オンセミ 　　 　　

パワー半導体LV100タイプの採用検討期間を短縮するデータの提供開始

2024年6月6日 13時00分 三菱電機株式会社 　　 　　

オンセミ、冷暖房のエネルギー消費を削減する第7世代IGBTベースのインテリジェントパワーモジュールを発表

2024年2月27日 09時40分 オンセミ 　　 　　

パワーモジュールの生産拠点を拡大し、安定供給に貢献

2024年1月12日 16時30分 富士通ゼネラル 　　 　　

SiC、IGBTを追加、業界最多(※)の3,500製品を超えるLTspice®モデルを提供

2023年10月12日 09時17分 ローム株式会社 　　 　　

堅牢性に優れた高効率の1350V耐圧 IGBTを発表

2023年9月11日 17時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

保護機能付きの電力変換とIGBT / SiC / GaNトランジスタのゲート駆動向けに絶縁型バック・コンバータICを発表

2023年5月12日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス