STマイクロエレクトロニクス、IGBTおよびSiC MOSFET向けの柔軟な保護を実現する先進的なガルバニック絶縁ゲート・ドライバSTGAP3Sを発表

空調システムや生活家電、ファクトリ･オートメーション向けのモータドライブを備えた産業用機器、充電ステーションの電力制御や、蓄電システム、電源などのエネルギー機器に最適

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、SiC（炭化ケイ素）およびIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）パワー･スイッチ向けのゲート･ドライバ･ファミリ「STGAP3S」を発表しました。同製品は、STの堅牢な最新ガルバニック絶縁技術と、最適化された非飽和(DESAT)検出機能およびミラー･クランプ･アーキテクチャを搭載しています。

STGAP3Sは、ゲート駆動チャネルと、低電圧制御やインタフェース回路との間に強化された容量性ガルバニック絶縁を実現しており、9.6kVの最大過渡絶縁電圧（VIOTM）と200V/nsのコモンモード過渡電圧耐性（CMTI）を備えています。最先端の絶縁技術を搭載したSTGAP3Sは、空調システムやファクトリ･オートメーション、生活家電など、産業用機器向けのモータ･ドライブの信頼性を高めています。また、充電ステーションや蓄電システム、力率改善（PFC）、DC-DCコンバータ、太陽光発電用インバータといった電力 / エネルギー機器でも使用されます。

STGAP3S製品ファミリには、10Aおよび6Aの電流に対応する各種オプションを備えており、それぞれが低電圧ロックアウト（UVLO）と非飽和(DESAT)検出のしきい値を備えています。このため、使用するパワースイッチをSiC MOSFETにすべきかIGBTにすべきか、性能に合わせて最適なデバイスを選択できます。

非飽和(DESAT)検出機能では、外付けパワー･スイッチを保護するために過負荷と回路短絡の保護を行い、大きな過電圧スパイクを回避しながら保護時のターンオフ速度を最大化するために、外付け抵抗を使用してターンオフ戦略を調整することができます。また、低電圧ロックアウト保護により、不十分な駆動電圧によるターンオンが防止されます。

このドライバに集積されたミラー･クランプ回路は、外部NチャネルMOSFET向けのプリドライバの役割を果たします。これにより、ターンオン誘導を防ぎ、クロス･コンダクションを回避するのに適した介入速度を柔軟に選択できます。

STGAP3Sはさまざまな品種で提供され、10Aのシンク / ソース駆動電流および6Aシンク / ソース駆動電流を選択できるため、使用するパワー･スイッチに合わせて最適な性能を実現できます。各品種は、IGBTまたはSiCに最適化された非飽和(DESAT)検出とUVLOのしきい値を備えています。非飽和(DESAT) / UVLO / 過熱保護の故障状態は、2本の専用オープン･ドレイン診断ピンにより通知されます。

STGAP3SXSは現在量産中で、SO-16Wワイドボディ･パッケージで提供されます。単価は、1000個購入時に約2.34ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて

STは、50,000名以上の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン･ニュートラル（スコープ1、2、および3の一部）の実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。

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