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電力密度と効率を向上した新しいパワーMOSFETを発表
2022年5月20日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
高効率スイッチングにより電力損失を大幅に削減する800V耐圧パワーMOSFETを発表
2021年10月15日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
デジタル電源の利用を加速させる設定可能で高効率のインタリーブ型力率改善コントローラICを発表
2017年3月30日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
フライバック・コンバータの電力と効率を向上させる900V耐圧パワーMOSFETを発表
2017年3月16日 09時15分
STマイクロエレクトロニクス
最新のパワーおよびセンシング・ソリューションを、TECHNO-FRONTIER 2013に出展
2013年7月16日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
アナログおよびパワーICのシミュレーションを可能にする評価用プラットフォームを発表
2010年4月20日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
SiCショットキー・ダイオードがElectronique Magazineの「Electron d'Or 2009」賞を受賞
2009年7月3日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
もっと見る
電力密度と効率を向上した新しいパワーMOSFETを発表
2022年5月20日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
高効率スイッチングにより電力損失を大幅に削減する800V耐圧パワーMOSFETを発表
2021年10月15日 09時20分
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デジタル電源の利用を加速させる設定可能で高効率のインタリーブ型力率改善コントローラICを発表
2017年3月30日 09時20分
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最新のパワーおよびセンシング・ソリューションを、TECHNO-FRONTIER 2013に出展
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アナログおよびパワーICのシミュレーションを可能にする評価用プラットフォームを発表
2010年4月20日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
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2009年7月3日 09時30分
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