「SEMICON Japan 2025」への出展について

株式会社東レリサーチセンターは、このたび、東京ビッグサイトで12月17日（水）～19日（金）に開催される「SEMICON Japan 2025」（主催：SEMI）に、東レ株式会社及びグループ会社の東レエンジニアリング株式会社、東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社、東レ・プレシジョン株式会社と共同出展します。

最先端半導体デバイス・電子材料に関する最新の分析技術事例を中心にご紹介致します。

是非、東レブースにお立ち寄りください。

■ SEMICON Japan 2025

•開催日時：2025年12月17日（水）～19日（金）

•会場：東京ビッグサイト

•ブース番号： 東展示棟　小間番号E4908番（APCSエリア）

■ 出展内容

展示ポスターの一部をご紹介します。
展示内容は変更になる可能性があります。

【1: 新規導入装置、独自の分析技術】

　・ICON-IRによる接着界面分析-2025年4月導入-

　・ESR法によるSiN膜中の欠陥量の深さ方向分析

　・マイクロRBSによる3次元構造体に形成した薄膜の高確度組成評価

　・HAXPESによるGaNの元素組成・化学状態分析

　・STEM, CL, DLTSによるGaN-HEMTの欠陥解析

【2: 材料評価・分析】

　・同位体ガスを用いたデバイス材料のガス浸透性評価

　・半導体材料のラマン分析における最適な装置選択

　・Low-k材料；SiOC薄膜の膜質評価

【3: プロセス評価・最適化】

　・ALD-SiN膜の初期構造解析　-FT-IR法-

　・カソードルミネッセンス(CL)法によるシリコンパワーデバイスの点欠陥・転位評価

　・トレンチ構造の側壁部の粗さ・汚染評価

　・ハイブリッド接合プロセスの最適化-ウエハ接合試料の界面分析-

　・半導体封止用樹脂の熱硬化挙動解析

【4: デバイス評価・開発支援】

　・実装材料の熱特性評価事例

　・先端通信デバイス開発を支援するルミネッセンス分析

　・マルチイオン種プラズマFIBによる半導体デバイスの電位コントラスト観察

　・ヘリウム冷却STEM-CL法によるVCSELの発光特性評価　　

【5: マッピング・可視化】

　・SIMSを用いた溶液成長SiC結晶中Nイメージ評価

　・fsLA-ICP-MSによるSiC基板中の 微量元素の三次元イメージング

　・薄膜の応力測定 － 50～300 mmΦ，温度依存性対応 －

　・μ-DICを用いた冷却昇温過程の熱ひずみ分布解析 －PCB, SIC-MOSFETへの適用－

　・実装部品内部の高分子材料のO-PTIRを用いた微小部組成分析

【6: 分析技術・前処理】

　・EUVリソグラフィー用化学増幅型レジスト中のポリマーバウンド光酸発生剤の構造解析

　・耐熱性樹脂の高温加熱時アウトガス分析

　・spICP-MSによるレジスト中の金属微粒子分析

　・Siウェハ表面のイオン性不純物分析

【7: 分析＋シミュレーション】

　・樹脂の熱硬化過程へのフィラーの影響 －熱分析とMDシミュレーション－

【8: グローバル市場向けサービス】

　・グローバル市場をサポートする東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高度分析サービス

　・欧州現地での東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高度化学分析サービス

　・中国現地での東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高精度組成分析サービス

【9: 関係会社、提携会社機能】

　・身近な梱包材からも硫黄化合物が発生！！【東レテクノ(株)】

　・超純水の管理 ―水質モニタリングと異常対応―【東レテクノ(株)】

　・電子デバイス切り出しによる物性値測定【NTTデバイスクロステクノロジ(株)】

　・パワーデバイス向けトータルソリューション～試作、パワーサイクル、分析、シミュレーション～