京都先端科学大 松波特任教授が炭化ケイ素（SiC）を用いた半導体素子の開発で、SSDMアワードを受賞
京都先端科学大学（所在地：京都市右京区、学長：前田 正史） ナガモリアクチュエータ研究所の松波 弘之特任教授が、国際固体素子・材料コンファレンス（SSDM）からSSDMアワードを授与されました。SSDMは、50年以上の伝統がある国内最大級の国際会議です。SSDMアワードは、SSDMが、過去にSSDMで発表された固体素子や材料分野に関する優れた研究論文を対象に、学術や産業の発展に貢献した研究者を称える賞です。今回の受賞は、1993年に発表した「高耐圧(1kV)SiCショットキーバリアダイオード」の論文に対するもので、2005年に「ステップ制御VPE法による低温でのSiC単結晶成長」でSSDMアワードを受賞して以来、2度目の受賞となります。松波教授は、実現が極めて難しいとされていたSiCの単結晶化に成功し、その生成技術を確立しました。さらにこの技術を用いて、高耐圧で低損失のショットキーバリアダイオードを開発。大量の電気を扱う発電所や電気自動車（EV）などに使用されている、低炭素化社会の実現に必要不可欠なSiCパワー半導体の製品化への道を拓きました。
■松波 弘之特任教授の受賞コメント
「長年にわたるSiCの研究についてご評価いただき、この様な名誉ある賞を頂戴できたことを大変うれしく思います。SiCの単結晶化およびそれを用いた半導体の開発は困難だと言われていました。実際にその実現には相当の年月を要しましたが、SiCの可能性を信じて、あきらめずに研究を続けたことが大きな成果につながりました。若い研究者の方には他人と違う研究を行うことの勇気と根気強く取り組む姿勢をもってもらいたいと思います」
■松波 弘之（まつなみ ひろゆき）特任教授 略歴
1939年 大阪府出身
主な経歴
1962年 京都大学工学部電子工学科を卒業
1964年 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了
1970年 京都大学工学博士
1971年 京都大学助教授 就任
1976年-1977年
米国ノースカロライナ州立大学客員准教授
1983年 京都大学教授 就任
2003年 京都大学を定年退官し、同大名誉教授
2004年 – 2012年
科学技術振興機構（JST）イノベーションプラザ京都 館長
2018年12月 京都先端科学大学 ナガモリアクチュエータ研究所 客員教授（非常勤）
2022年4月 京都先端科学大学 ナガモリアクチュエータ研究所 特任教授（名称変更）
2022年12月 IEEE（米国電気電子学会）よりエジソンメダル受賞
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