プレスリリース・ニュースリリース配信サービスのPR TIMES
  • Top
  • テクノロジー
  • モバイル
  • アプリ
  • エンタメ
  • ビューティー
  • ファッション
  • ライフスタイル
  • ビジネス
  • グルメ
  • スポーツ

PR TIMESのご利用について

資料をダウンロード

日清紡マイクロデバイス株式会社
会社概要

【新日本無線】5G(Sub6) のスモールセルなど基地局向け業界トップレベルの低挿入損失、大電力汎用SPDTスイッチNJG1817ME4のサンプル配布開始

日清紡マイクロデバイス株式会社

新日本無線株式会社(本社:東京都中央区 代表取締役社長:森田 謙一)は、5G(Sub6)のスモールセルなど基地局向け業界トップレベル※1の超低損失、大電力SPDTスイッチ「NJG1817ME4」のサンプル配布を開始しました。
                                      ※1 2021.04 新日本無線調べ

【開発背景及び従来の大電力RFスイッチの課題】
 近年5G(第5世代移動通信システム)の商用サービスのスタートと同時にスモールセルなど基地局の需要が急増しています。スモールセルなど基地局では、高い送信パワーから受信経路を保護するため、受信側に使われる保護用大電力スイッチ(図1)の需要も増えています。
 一方、従来の大電力RFスイッチでは低挿入損失特性の実現が大きな課題となっていました。そのため、大電力仕様の基地局、特に損失特性を重視する送受信切替部分には、コストが高い低挿入損失のサキューレターを使用することが一般的です。NJG1817ME4は大電力、且つ低挿入損失特性の実現により、受信経路の保護用 (図1) のみならず、送受信切替用のスイッチ (図2) として使用可能です。
 

 

【概 要】
NJG1817ME4は10Wまでの大電力に対応する超低挿入損失と高アイソレーションの汎用SPDTスイッチです。特に5G(Sub6)に対応する高い周波数での挿入損失特性は業界トップレベルです。また、高速切替特性は5Gなど高速通信用途に最適です。
2.0mmx2.0mmの小型パッケージに搭載することにより、大電力スイッチの小型化を実現し、実装面積の削減が可能となります。特にスイッチの採用個数が多いスモールセルなど通信機器の小型化にも貢献します。

【特 長】
■ 大電力と低挿入損失特性の両立
10Wまでの大電力への対応しており、特に5G(Sub6)の2G~6GHzの帯域においては0.35~0.45dBの超低挿入損失特性を実現しています。他社の同等の大電力スイッチと比較して、半分以下の低挿入損失であり、業界トップレベルです。

■ 5G通信に最適な高速切替特性
350 ns以下のスイッチング時間で高速切替を実現しております、5G、Wi-Fiなどの高速通信に最適です。

■ 業界最小パッケージへの搭載
本製品は、10Wまで対応する大電力スイッチとして、業界最小サイズ※2の2.0mmx2.0mmの小型パッケージに搭載し、実装面積の削減、端末の小型化に貢献します。
                              ※2 2021.04 新日本無線調べ

【製品機能】
品名 NJG1817ME4
制御電圧 3.3V typ. (2.7 ~ 5.0 V)
制御電流 7 µA typ. @ 3.3 V
挿入損失 0.30dB typ. @ f = 700MHz
0.35dB typ. @ f = 3.85GHz
0.40dB typ. @ f = 4.7GHz
0.45dB typ. @ f = 6.0GHz
アイソレーション 30dB typ. @ f = 700MHz
27dB typ. @ f = 3.85GHz
27dB typ. @ f = 4.7GHz
25dB typ. @ f = 6.0GHz
0.1dB圧縮時入力電力 +40dBm typ.
スイッチング時間 150ns typ. / 350 ns max.
小型パッケージ EQFN12-E4
2.0 mm x 2.0 mm x 0.397 mm typ.


【アプリケーション】
・5G (Sub-6)基地局システム
・業務用無線通信端末
・送受信の切替、アンテナ切替、PA出力切換及びその他汎用用途

【製品外観】


【生産/サンプル価格】
・生産               7月より量産開始
・サンプル価格     お問い合わせください

 【企業情報】
会社名   : 新日本無線株式会社  (日清紡グループ※)
所在地   : 東京都中央区日本橋横山町3番10号
URL     : https://www.njr.co.jp/
   ※新日本無線は、マイクロデバイス事業会社として中核を担っています。

 【本件に関するお問い合わせ先】
プレスリリース、取材お問い合わせ
電子デバイス事業部 デジタルマーケティング部 広告企画課
TEL:049-278-1497 e-mail: semicon@njr.co.jp
 

このプレスリリースには、メディア関係者向けの情報があります

メディアユーザーログイン既に登録済みの方はこちら
メディアユーザー新規登録無料

メディアユーザー登録を行うと、企業担当者の連絡先や、イベント・記者会見の情報など様々な特記情報を閲覧できます。※内容はプレスリリースにより異なります。

すべての画像


種類
商品サービス
位置情報
埼玉県ふじみ野市本社・支社東京都中央区本社・支社
ダウンロード
プレスリリース素材

このプレスリリース内で使われている画像ファイルがダウンロードできます

会社概要

日清紡マイクロデバイス株式会社

0フォロワー

RSS
URL
https://www.nisshinbo-microdevices.co.jp/
業種
製造業
本社所在地
東京都中央区日本橋横山町3番10号
電話番号
03-5642-8222
代表者名
吉岡 圭一
上場
未上場
資本金
52億2000万円
設立
1959年09月
トレンド情報をイチ早くお届けPR TIMESを友達に追加PR TIMESのご利用について資料をダウンロード