「先端分析技術シンポジウム2026」を12月7日にオンライン開催

～ペロブスカイト太陽電池・半導体など、先端材料研究を支える最新の分析技術を紹介～

株式会社東レリサーチセンター（本社：東京都中央区、社長：真壁芳樹、以下「TRC」）は、2026年12月7日（月）に「先端分析技術シンポジウム 2026」をオンラインで開催します。

本シンポジウムでは、「先端分析が切り拓く新たな科学」をテーマに、注目される学術・技術分野の第一線で活躍されている研究者による招待講演のほか、TRCがこの一年に開発した4件の先端分析技術を紹介します。

招待講演では、日本初の次世代太陽電池である「ペロブスカイト太陽電池」研究の世界的権威である京都大学化学研究所教授の若宮淳志氏を迎え、ペロブスカイト太陽電池の基礎研究から社会実装までの取り組みと、その実現を支える先端分析技術についてご講演いただきます。

また、TRCからは、太陽電池材料、機能性材料、半導体デバイス、燃料電池材料などを対象とした最新の分析技術と応用事例4件を紹介します。材料設計、研究・技術開発、品質保証などに携わる方々に、課題解決につながる分析技術と活用方法をご紹介します。

TRCは今後も、「高度な技術で社会に貢献する」という基本理念に基づき、分析・解析技術の高度化と最先端分析技術の開発に取り組み、お客様の材料開発や課題解決を支援するとともに、サステナブル社会の実現に貢献してまいります。

開催概要

◆名称：先端分析技術シンポジウム2026

◆ テーマ：先端分析が切り拓く新たな科学

◆ 日時：2026年12月7日（月）13：30～

◆開催形式：オンライン

◆参加費：無料

◆参加方法：事前申込制

◆申込方法：詳細はTRCウェブサイト(https://www.toray-research.co.jp)をご覧ください。

【講演プログラム】

13:30~13:35	開会の挨拶
13:50~14:50	【招待講演】 ペロブスカイト太陽電池の基礎研究から社会実装への挑戦 〜TRC先端分析技術が支える高効率・高耐久化と量産プロセス開発〜 京都大学化学研究所　教授　若宮淳志氏
14:50~15:00	休憩
15:00~15:15	【講演1】 ペロブスカイト太陽電池の性能・信頼性向上を支える先端分析 ～TOF-SIMS、RBS、TEMによる多角的材料評価～ 株式会社東レリサーチセンター　形態科学研究部　稲元伸
15:15~15:30	【講演2】 機能性材料の設計を支える分子間相互作用解析 ～nanoESI-MS/MSによる分子・イオン間の結合強度の評価～ 株式会社東レリサーチセンター　有機分析化学研究部　李茜
15:30~15:45	【講演3】 半導体デバイスにおける発光と電流特性の同時評価 ～電圧印加SEM-CL/EBIC同時測定～ 株式会社東レリサーチセンター　形態科学研究部　安田光伸
15:45~16:00	【講演4】 半導体Cu/Low-k配線および燃料電池触媒層のナノスケール分析 ～AFM-IRによるナノ局所化学構造解析とその応用～ 株式会社東レリサーチセンター　構造化学研究部　長坂龍洋

※京都大学・若宮淳志教授は「ペロブスカイト太陽電池」に関する研究成果で、令和4年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞、 第53回市村地球環境学術賞 貢献賞、 第19回GSC賞文部科学大臣賞など数多く受賞された。TRCは2025年11月18日にプレスリリースしたペロブスカイト太陽電池研究の共同研究相手でもある。

【用語説明】

ペロブスカイト太陽電池：

ペロブスカイト構造を有する材料を光吸収層に用いた次世代太陽電池。2009年に桐蔭横浜大学の宮坂力特任教授らのグループによって開発された日本発の次世代太陽電池であり、軽量・フレキシブル・高効率・低コスト製造が可能な技術として注目されています。

TOF-SIMS：

飛行時間型二次イオン質量分析法（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）。試料表面にイオンビームを照射し、表面から飛び出した原子や分子（二次イオン）を分析することで、表面に存在する元素や分子の種類と分布を調べる手法です。

RBS：

ラザフォード後方散乱分光法（Rutherford Backscattering Spectrometry）。ヘリウムイオンを試料に照射し、原子核との衝突によって後方へ散乱したイオンのエネルギーから、元素組成や深さ方向の分布を測定する手法です。

TEM：

透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscopy）。薄く加工した試料に電子線を照射し、透過した電子線をレンズで拡大することで、材料内部の微細構造をナノメートルから原子レベルで観察する手法です。

nanoESI：

ナノエレクトロスプレーイオン法（Nano Electrospray Ionization）。試料溶液を極細のキャピラリー先端から噴霧し、分子を壊しにくい条件でイオン化する方法です。

SEM：

走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscopy）。試料表面に電子線を照射・走査し、発生する電子を検出することで、表面の微細な形状や構造を観察する手法です。

CL：

カソードルミネッセンス（Cathodoluminescence ）。電子線の照射によって試料から発生する光を分析し、発光特性や欠陥の状態などを調べる手法です。

EBIC：

電子線誘起電流（Electron Beam Induced Current）。電子線の照射によって試料内部に発生する電流を測定し、半導体接合や欠陥などの電気的特性を評価する手法です。

AFM-IR：

原子間力顕微鏡赤外分光（Atomic Force Microscopy-Infrared Spectroscopy）。赤外光の吸収によって試料に生じる微小な熱膨張を原子間力顕微鏡の探針で検出し、ナノスケールで化学構造を解析する手法です。

Cu/Low-k配線：

電気をため込みにくい低誘電率（Low-k）絶縁膜と電気を通しやすい銅（Cu）を組み合わせることで、高速・低消費電力動作を実現する半導体の微細配線技術です。