解像力0.8マイクロメートルで先端パッケージングに対応　後工程向けi線ステッパー“FPA-5520iV HRオプション”を発売

キヤノンは、FOWLP(※1)向け機能の強化と生産性のさらなる向上を実現した後工程向けi線ステッパー(※2)「FPA-5520iV」の高解像度オプション“FPA-5520iV HRオプション”を2018年12月下旬より発売します。

FPA-5520iV HRオプション

モバイル製品の小型化・省電力化の流れに伴い、半導体チップの高集積化・薄型化に対応できるFOWLP向け機能を強化した半導体露光装置の市場が拡大しています。また、FOWLPの市場では、配線高密度化のニーズが高く、さらなる解像力の向上を求められています。新製品はFOWLP向け機能の強化と生産性の向上を実現した「FPA-5520iV」（2016年7月発売）の基本性能を継承しつつ、さらに解像力0.8マイクロメートル(※3)を実現します。

■ 解像力0.8マイクロメートルを実現
「FPA-5520iV」では1.0マイクロメートルだった解像力を、“FPA-5520iV HRオプション”では新たな投影光学系を採用することで、パッケージング向け露光装置で業界最高水準(※4)となる解像力0.8マイクロメートルの微細なパターニングができます。これにより、半導体チップのさらなる小型化が可能となり、処理する情報が増え、処理速度を高めることができます。

■ 「FPA-5520iV」の基本性能を継承
FOWLP技術での量産課題である再構成基板(※5)の反った形状に対する柔軟な対応力や、チップ配列のばらつきが大きい再構成基板でもアライメントマーク(※6)を検出し稼働率を向上させる高い生産性など「FPA-5520iV」で実現した基本性能を継承しています。

キヤノンは、今後も半導体露光装置に対する多様なソリューションやアップグレードオプションなどを継続的に提供し、市場ニーズに対応していきます。

※1　Fan Out Wafer Level Packageの略。パッケージ技術の一種。基板レスやパッケージ面積がチップより大きく多ピンのパッケージへの対応が可能などのメリットがある。
※2　水銀ランプ波長365nm の光源を利用した半導体露光装置。1nm（ナノメートル）は10 億分の1 メートル。
※3　1マイクロメートルは、100万分の1メートル。（＝1000分の1mm）
※4　同等クラスのi線ステッパーにおいて。シリコンウエハーと同等の平坦度の場合。2018年12月10日現在。（キヤノン調べ）
※5　半導体露光装置の前工程で製造されたウエハーから個片化された複数の半導体チップを、配列し、樹脂でウエハー形状に固めた基板。
※6　基板上に配置されている位置合わせをするための基準のこと。複数マークを観察、測定することで、縦横の位置を精密に把握できる。