業界最高の低周波数性能を実現した新しい1200V耐圧IGBTを発表

 

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、極めて低い導通損失、および最大8kHzのスイッチング周波数で非常に少ないターンオフ損失を同時に実現した新しい1200V耐圧IGBTのSシリーズを発表しました。同シリーズは、無停電電源装置、太陽光発電システム、溶接機、産業用モータ・ドライブなどの電力変換効率を大幅に向上させます。

Sシリーズは、現在入手可能な1200V耐圧IGBTの中でも最も低いレベルの飽和電圧（VCE(sat)）を特徴としており、少ない電圧降下と電力損失が温度管理の簡略化につながります。また、正温度係数VCE(sat)のパラメータ分布のばらつきが非常に小さく、高電力アプリケーションにおけるシンプルな並列接続も可能です。さらに、ターンオフ時のサージ電圧と発振を抑え、外部回路の簡略化と部品点数の低減を可能にします。

Sシリーズは、短絡耐時間（接合部温度150℃時）を最小10us保証、ラッチアップの発生しない動作、拡張された最大接合部動作温度（最大175℃）、および幅広い安全動作領域（SOA：Safe Operating Area）を実現しており、極めて高い堅牢性と信頼性を実現しています。

最大8kHzの周波数範囲におけるハードスイッチング・トポロジに理想的なSシリーズは、第3世代のトレンチゲート・フィールドストップ技術を採用しており、STの1200V耐圧IGBTのMシリーズ（最適周波数：最大20kHz）およびHシリーズ（同：20kHz超）を補完します。これにより、STは、3種類の製品シリーズを通して、一般に使用されるスイッチング周波数で動作するIGBT回路に最適な先進的かつ高効率な製品を提供します。

SシリーズのIGBTは、定格電流が15A / 25A / 40Aの製品はTO-247パッケージ（標準または長リード）で提供されます。全製品が最新世代のフリーホイール・ダイオードを搭載しており、EMIおよびターンオン損失を最小化する高速リカバリおよび緩やかな逆回復特性を実現しています。

TO-247パッケージで提供されるSTGW15S120DF3（15A）の単価は、1000個購入時に約2.80ドルです。

詳細については、 http://www.st.com/igbt をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2014年の売上は74.0億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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