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「トレンチゲート」に関するプレスリリース一覧
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STマイクロエレクトロニクス、最新のSTripFET F8技術を採用した、標準レベルの40VパワーMOSFETを発表
2024年12月26日 17時00分
STマイクロエレクトロニクス
同期整流で電力効率を高める先進的な60V耐圧パワーMOSFETを発表
2015年9月8日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
スイッチング周波数 20KHzで駆動する機器の電力効率を高める650V耐圧IGBTを発表
2015年7月16日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
業界最高の低周波数性能を実現した新しい1200V耐圧IGBTを発表
2015年6月15日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
太陽光発電システム・産業用電源向けに新しいIGBTを発表
2014年12月1日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
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STマイクロエレクトロニクス、最新のSTripFET F8技術を採用した、標準レベルの40VパワーMOSFETを発表
2024年12月26日 17時00分
STマイクロエレクトロニクス
同期整流で電力効率を高める先進的な60V耐圧パワーMOSFETを発表
2015年9月8日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
スイッチング周波数 20KHzで駆動する機器の電力効率を高める650V耐圧IGBTを発表
2015年7月16日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
業界最高の低周波数性能を実現した新しい1200V耐圧IGBTを発表
2015年6月15日 09時30分
STマイクロエレクトロニクス
太陽光発電システム・産業用電源向けに新しいIGBTを発表
2014年12月1日 09時30分
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