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1200V級の太陽光発電システムから基地局へ効率的に給電可能とする直流給電電力変換器の開発および実証実験を実施

2024年11月12日 11時30分 株式会社NTTドコモ 　　 　　

優れた効率と最先端の堅牢性を実現する1200V耐圧SiCダイオードを発表

2017年5月17日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

業界最高の低周波数性能を実現した新しい1200V耐圧IGBTを発表

2015年6月15日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

信頼性の高い電源制御を可能にする、業界初の車載対応1200V耐圧サイリスタを発表

2015年5月28日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

広範な用途向けにワイドバンドギャップの優位性を持つSiCパワーMOSFETの新製品を発表

2015年2月10日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

長寿命化と低消費電力化を実現した先進的な1200V耐圧IGBTを発表

2014年6月17日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

最先端の高温性能を備えたSiCパワーMOSFETを発表

2014年3月17日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

モータ駆動用電力を低減する定格1200Vの低損失IGBTシリーズを発表

2009年10月19日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス