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優れた効率と最先端の堅牢性を実現する1200V耐圧SiCダイオードを発表

2017年5月17日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

業界最高の低周波数性能を実現した新しい1200V耐圧IGBTを発表

2015年6月15日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

信頼性の高い電源制御を可能にする、業界初の車載対応1200V耐圧サイリスタを発表

2015年5月28日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

広範な用途向けにワイドバンドギャップの優位性を持つSiCパワーMOSFETの新製品を発表

2015年2月10日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

長寿命化と低消費電力化を実現した先進的な1200V耐圧IGBTを発表

2014年6月17日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

最先端の高温性能を備えたSiCパワーMOSFETを発表

2014年3月17日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

モータ駆動用電力を低減する定格1200Vの低損失IGBTシリーズを発表

2009年10月19日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス