広範な用途向けにワイドバンドギャップの優位性を持つSiCパワーMOSFETの新製品を発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、卓越した電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFETの新製品SCT20N120を発表しました。同製品は、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応します。

STは、堅牢かつ高効率なSiCパワー半導体の開発をリードする数少ない企業の一社です。1200V耐圧パワーMOSFETの新製品であるSCT20N120は、最高200℃の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗（RDS(ON)）を実現しています。また、ターンオフ損失（Eoff）およびゲート電荷（Qg）が非常に安定しているため、全温度範囲において一貫して高いスイッチング性能が維持されます。これにより、導通損失とスイッチング損失の低減および超低リーク電流につながるため、放熱設計が簡略化されると共に、高い信頼性も確保されます。

さらに、STのSiCパワーMOSFETは低い電力損失に加え、同等の定格を持つシリコンIGBTの最大3倍のスイッチング周波数を実現しています。そのため、外付け部品の小型化、省スペース化、軽量化ならびに部材コストの低減が可能になります。また、優れた高温度特性を持つSCT20N120は、電気自動車向け電力モジュールの冷却システムの設計も大幅に簡略化します。

また、SCT20N120は、熱効率の高いST独自のHiP247(TM)パッケージを採用しているため、最大200℃まで信頼性のある動作が可能であると同時に、業界標準のTO-247パワー・パッケージと外形の互換性を有しています。

SCT20N120は現在量産中で、単価は1000個購入時に約8.50ドルです。

詳細については、http://www.st.com/web/jp/catalog/sense_power/FM100/CL2062/SC1704 をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2014年の売上は74.0億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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