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最新の高速化技術で性能を高める高周波650V耐圧IGBTを発表

2019年5月8日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

高速リカバリ・ダイオード内蔵の新しいMDmesh(TM)パワーMOSFETを発表

2017年5月29日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

5 x 6 mmの小型両面放熱パッケージで提供される車載用パワーMOSFETを発表

2017年5月23日 10時16分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

フライバック・コンバータの電力と効率を向上させる900V耐圧パワーMOSFETを発表

2017年3月16日 09時15分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

電力変換効率を向上させる新しいパワーMOSFETおよびパッケージ技術を発表

2016年3月11日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

世界初、スーパー・ジャンクション型の1500V耐圧パワーMOSFETを発表

2015年10月27日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

広範な用途向けにワイドバンドギャップの優位性を持つSiCパワーMOSFETの新製品を発表

2015年2月10日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

電力効率と安全マージンを向上させるスーパー・ジャンクション型の新しい650V耐圧パワーMOSFETを発表

2014年12月4日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

TO-247パッケージで提供される650V耐圧 車載用パワーMOSFETを発表

2013年8月21日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

より環境に優しい産業と社会インフラを実現する最新の省電力技術を採用したパワーMOSFETを発表

2013年5月24日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス