モータ駆動用電力を低減する定格1200Vの低損失IGBTシリーズを発表

新製品が効率と信頼性を向上させ、環境負荷を軽減

電源アプリケーションの世界的リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス
（NYSE：STM、以下ST）は、モータ制御回路が持つ2つの主なエネルギー損失源を
最小限に抑えることで、家電製品、冷暖房空調設備、産業用機械など、日常的に
使用される機器の環境への影響を軽減するパワー・トランジスタの新シリーズを
発表しました。絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor: IGBT）
であるSTGW30N120KD / STGW40N120KDは、一般的なIGBTと同様に、
導通時のエネルギー損失が低く、スイッチング時の電力損失を低減します。

これらのIGBTは、STのPowerMESH(TM)プロセスを使用することで省電力を達成し、
全体的なエネルギー効率の向上を実現しています。スイッチング損失の低減に
より、さらに高い周波数での動作が可能なため、電源制御回路部品の小型化と
低価格化を実現します。また、業界標準のTO-247パッケージに実装されており、
多くの回路に必要とされる超高速フリーホイール・ダイオードを集積しているた
め、部品数の低減が可能になります。

これらのIGBT（定格1200V）は、最長10マイクロ秒間の短絡に耐えることができ、
ゲート駆動信号エラー、グランド短絡、モータの相間絶縁破壊など、モータ・
コントローラの一般的な故障原因に対する耐久性を備えています。
STGW30N120KD / STGW40N120KDの高い信頼性によって、修理・交換の必要性が
減少し、エンド・ユーザで発生するコストが低減します。

新シリーズは定格1200Vであることから、440Vや480V等のより高いAC電源電圧で
の使用が可能です。新製品は、従来の600V低損失IGBTと共に、業界で最も広範な
パワー・トランジスタ・ポートフォリオの1つを構成しています。

STGW30N120KD は最大30A、 STGW40N120KDは最大40Aのアプリケーションに対応し
ています。両製品共に量産中で、単価は約5,000個購入時にそれぞれ約2.50ドル
および約2.80ドルです。

詳細については、http://www.st-japan.co.jp/igbt/をご覧ください。

また、本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/p2419d.html

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。
2008年の売上は98.4億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人:http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）:http://www.st.com

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