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漏れ電流を99％低減、ショットキーバリアダイオード発売

2024年10月17日 13時20分 新電元工業株式会社 　　 　　

性能指数が40%向上した産業用100V耐圧パワーMOSFETを発表

2023年3月22日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

電力密度と効率を向上した新しいパワーMOSFETを発表

2022年5月20日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

高効率スイッチングにより電力損失を大幅に削減する800V耐圧パワーMOSFETを発表

2021年10月15日 09時20分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

低損失磁性材料を用いた車載用パワーチョークコイルを製品化

2020年12月21日 11時40分 パナソニックグループ 　　 　　

ディスクリートタイプ（TO-3P）高速ダイオード（60A/200V 非絶縁型）を販売開始

2015年8月18日 14時00分 株式会社三社電機製作所 　　 　　

耐圧600Vで連続安定動作可能なGaNパワートランジスタを開発

2013年3月19日 14時06分 パナソニックグループ 　　 　　

「CSP採用　小型・大電流 ショットキバリアダイオード」を商品化

2013年3月13日 12時37分 パナソニックグループ 　　 　　

アンテナ接続をシングル・チップで行うことで次世代Bluetoothの設計を小型化

2010年5月28日 18時15分 STマイクロエレクトロニクス 　　 　　

モータ駆動用電力を低減する定格1200Vの低損失IGBTシリーズを発表

2009年10月19日 09時30分 STマイクロエレクトロニクス