9月30日(月) AndTech「次世代半導体パッケージ・デバイスの高機能化に向けた接合・チップ集積技術開発動向」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定

横浜国立大学　井上　史大　氏、三菱マテリアル株式会社　中川　卓眞　氏、株式会社JCU　佐波　正浩　氏、国立研究開発法人産業技術総合研究所　藤野　真久　氏にご講演をいただきます。

AndTech

2024年8月26日 15時26分

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せる半導体接合・集積技術での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「半導体接合・集積技術」講座を開講いたします。

Die-to-Waferの「ハイブリッド接合」による新規な垂直方向配線形成技術及びチップ集積技術を紹介！

本講座は、2024年09月30日開講を予定いたします。

詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1ef53168-740d-61e8-b126-064fb9a95405

Live配信・WEBセミナー講習会　概要

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テーマ：次世代半導体パッケージ・デバイスの高機能化に向けた接合・チップ集積技術開発動向

～3次元実装、Cu-Cu 接合、ハイブリッド接合～

開催日時：2024年09月30日(月) 11:00-16:35

参加費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ef53168-740d-61e8-b126-064fb9a95405

WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

セミナー講習会内容構成

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　ープログラム・講師ー

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第1部チップレット時代のハイブリッド接合　技術開発の現状と今後

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講師横浜国立大学　　大学院　工学研究院　システムの創生部門 / 准教授　井上　史大　氏

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第2部ナノポーラス Cu 構造による Cu-Cu 接合に向けた検討

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講師三菱マテリアル株式会社　三田工場技術開発室実装プロセスグループ　中川　卓眞　氏

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第3部結晶粒径の制御によるハイブリッド接合技術

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講師株式会社JCU　CS電子技術部 / 主任研究員　佐波　正浩　氏

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第4部半導体デバイス接合技術動向

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講師国立研究開発法人産業技術総合研究所　エレクトロニクス・製造領域先端半導体研究センター 3D集積技術研究チーム / 主任研究員　藤野　真久　氏

本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

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・チップレット集積

・ハイブリッド接合の研究動向と課題

・ウエハレベルハイブリッド接合

・チップレベルハイブリッド接合

・Cu-Cu 接合

・硫酸銅めっき

・添加剤の機能

・ハイブリッド接合技術

・金属結晶

本セミナーの受講形式

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　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

株式会社AndTechについて

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　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、

　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」

　「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

　　https://andtech.co.jp/

株式会社AndTech　技術講習会一覧

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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。

https://andtech.co.jp/seminars/search

株式会社AndTech　書籍一覧

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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。

https://andtech.co.jp/books

株式会社AndTech　コンサルティングサービス

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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。

https://andtech.co.jp/business-consulting

本件に関するお問い合わせ

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株式会社AndTech　広報PR担当青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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第1部チップレット時代のハイブリッド接合　技術開発の現状と今後

【講演主旨】

現在講師の先生に最新のご講演主旨をご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。

【プログラム】

１、チップレット集積

２、ハイブリッド接合の研究動向と課題

３、ウエハレベルハイブリッド接合

４、チップレベルハイブリッド接合

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第2部ナノポーラス Cu 構造による Cu-Cu 接合に向けた検討

【講演主旨】

現在講師の先生に最新のご講演主旨をご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。

【プログラム】

現在講師の先生に最新のご講演プログラムをご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。

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第3部結晶粒径の制御によるハイブリッド接合技術

【講演主旨】

　表面技術の一つである硫酸銅めっきは、プラスチック上への下地めっきや、電子部品の配線形成、フライパン底部への厚付けめっきなど、銅の柔らかさや電気伝導性、熱伝導性などの優れた物理的性質から装飾的な用途や機能的な用途に広く利用されている。Cu-SiO2ハイブリッド接合におけるCu電極も硫酸銅めっきで形成されており、これに求められる性質には拡散や熱膨張、低抵抗などがある。Cuは多結晶であり、各結晶粒はある方位の結晶軸をもつことから、その障壁の少ない粗大Cu結晶粒はCu-SiO2ハイブリッド接合に好適であると考えられる。本講座では粗大Cu結晶粒のハイブリッド接合への適合性について解説する。

【プログラム】

1. はじめに

　1-1　硫酸銅めっき

　1-2　添加剤の機能

　1-3　ビアフィリング技術

　1-4　配線形成技術

2. Cu-SiO2ハイブリッド接合

　2-1　接合技術

　2-2　粗大Cu結晶粒の物理的性質

　2-3　Cu-SiO2ハイブリッド接合

　2-4　結晶粒界の消失

3.　おわりに