9月5日(木) AndTech　WEBオンライン3か月連続オンライン学習講座「パワーデバイス入門講座」Zoomセミナー・復習用アーカイブ付き講座を開講予定

技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門)　神谷　有弘　氏（元株株式会社 デンソー 半導体基盤技術開発部 担当部長）にご講演をいただきます。

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今市場の増加が見込まれるパワーデバイスでの課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師陣からなる「パワーデバイス入門 」3か月連続学習講座を開講いたします。

半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！

本講座は、2024年9月5日に第一講を開講予定いたします。 

詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1ef50b58-8aa0-618e-8d0d-064fb9a95405

AndTech オンラインLive配信・WEBセミナー　オンライン学習講座会　概要

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テーマ：【3か月連続・オンライン学習講座】パワーデバイス入門講座【LIVE配信・WEBセミナー・復習用アーカイブ付き】

開催日時：2024年09月5日(木)　13:00-16:00 （第2講　10月3日(木)　第3講　11月7日(木) ）

参 加 費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定（2名受講同額料金）

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ef50b58-8aa0-618e-8d0d-064fb9a95405

WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

セミナー講習会内容構成

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　ープログラム・講師ー

技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門)　神谷　有弘　氏

【第1回】半導体と半導体デバイス

（日時：9月5日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間） 

【第2回】様々なパワーデバイス

（日時：10月3日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間） 

【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造

（日時：11月7日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間） 

【第1回】半導体と半導体デバイス

第1回では半導体および半導体デバイスに使われる材料やダイオード、トランジスタなどの基礎的な内容について解説する。

【第2回】様々なパワーデバイス

第2回では様々な種類のパワーデバイスの構造や特性を理解していただくように解説する。

【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造

第3回ではワイドバンドギャップデバイス(WBG)の特性や構造を解説し、パワーモジュールの実装放熱構造について解説する。

本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

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■注目ポイント

★半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！

本セミナーの受講形式

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　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

株式会社AndTechについて

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　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、

　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」

　「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

　　https://andtech.co.jp/

株式会社AndTech　技術講習会一覧

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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。

https://andtech.co.jp/seminars/search

　

株式会社AndTech　書籍一覧

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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。

https://andtech.co.jp/books

　

株式会社AndTech　コンサルティングサービス

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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。

https://andtech.co.jp/business-consulting

　

本件に関するお問い合わせ

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株式会社AndTech　広報PR担当 青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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【第1回】半導体と半導体デバイス

（日時：9月5日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間） 

1.半導体デバイスに使われる材料

　1-1　電気・電子回路に使われる材料

　1-2　導体と絶縁体

　1-3　抵抗率を変化させる

2.原子と電子

　2-1　原子と電子

　2-2　電子のエネルギー準位

　2-3　原子配列と結晶

　2-4　エネルギー準位とエネルギーバンド

3.半導体

　3-1　半導体となる材料

　3-2　結晶中の電子の運動

　3-3　真性・p型・n型半導体

4.ダイオード

　4-1　pn接合

　4-2　ダイオードの動作

　4-3　ダイオードの特性

5.トランジスタ

　5-1　トランジスタの種類　

　5-2　バイポーラトランジスタ

　5-3　JFET

　5-4　MOSFET

　5-5　半導体の製品名

6.演習

【質疑応答】

【第2回】様々なパワーデバイス

（日時：10月3日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間） 

1.ダイオード

　1-1　高耐圧ダイオード

　1-2　ダイオードの高速スイッチング

2.バイポーラトランジスタ

　2-1　縦型トランジスタ

　2-2　高耐圧大電流トランジスタ

　2-3　パワートランジスタの特性

3.MOSFET

　3-1　縦型MOSFET

　3-2　構造と特性

　3-3　低オン抵抗化

　3-4　各種MOSFETの比較

4.サイリスタ

　4-1　基本構造

　4-2　動作

　4-3　特性

5.IGBT

　5-1　構造と動作　

　5-2　出力特性

　5-3　IGBTのラッチアップと対策

　5-4　微細化・薄型化

　5-5　インバータの電力損失の変遷と小型化

　5-6　IGBTの高耐圧化

　5-7　逆導通IGBT

6.演習

【質疑応答】

【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造

（日時：11月7日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間） 

1.Siからワイドバンドギャップデバイス(WBG)へ

　1-1　各デバイスと耐圧の関係

　1-2　各デバイスの耐圧理論限界

　1-3　ワイドバンドギャップ半導体の物性比較

　1-4　SiCとGaNの構造

2.SiCデバイス

　2-1　pnダイオード

　2-2　SBD

　2-3　SiC SBDの効果

　2-4　オン抵抗を低減させる構造例

　2-5　SiC MOSFETの構造

　2-6　SiC DMOSFET

　2-7　SiC MOSFETの課題と対応例

　2-8　MOSFETの電気特性

　2-9　SiCウェハの歩留り

　2-10　SiCの結晶成長法

　2-11　SiCウェハの加工

　2-12　SiCへの期待

　2-13　電力損失の比較（Siとの比較）

3.GaNデバイスの開発状況

　3-1　GaNデバイスによるパワー素子に期待する理由

　3-2　GaNの横型と縦型の構造

　3-3　GaN HEMTの特徴

　3-4　GaN HEMTの構造例

　3-5　縦型GANの課題

　3-6　GaNの結晶成長法

　3-7　GaNパワーデバイスへの期待

4.パワーモジュールとその実装・放熱構造

　4-1　シリコーンゲル封止とエポキシ樹脂封止

　4-2　パワーデバイスの高放熱化の動き

　4-3　各種冷却構造のモジュール

　4-4　インバータの冷却構造とパワーモジュールの関係

5.演習

【質疑応答】

＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。

＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以　上