9月5日(木) AndTech WEBオンライン3か月連続オンライン学習講座「パワーデバイス入門講座」Zoomセミナー・復習用アーカイブ付き講座を開講予定
技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門) 神谷 有弘 氏（元株株式会社 デンソー 半導体基盤技術開発部 担当部長）にご講演をいただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今市場の増加が見込まれるパワーデバイスでの課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師陣からなる「パワーデバイス入門 」3か月連続学習講座を開講いたします。
半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！
本講座は、2024年9月5日に第一講を開講予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1ef50b58-8aa0-618e-8d0d-064fb9a95405
AndTech オンラインLive配信・WEBセミナー オンライン学習講座会 概要
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テーマ：【3か月連続・オンライン学習講座】パワーデバイス入門講座【LIVE配信・WEBセミナー・復習用アーカイブ付き】
開催日時：2024年09月5日(木) 13:00-16:00 （第2講 10月3日(木) 第3講 11月7日(木) ）
参 加 費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定（2名受講同額料金）
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ef50b58-8aa0-618e-8d0d-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門) 神谷 有弘 氏
【第1回】半導体と半導体デバイス
（日時：9月5日(木) 13:00-16:00 、学習時間：3時間）
【第2回】様々なパワーデバイス
（日時：10月3日(木) 13:00-16:00 、学習時間：3時間）
【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造
（日時：11月7日(木) 13:00-16:00 、学習時間：3時間）
【第1回】半導体と半導体デバイス
第1回では半導体および半導体デバイスに使われる材料やダイオード、トランジスタなどの基礎的な内容について解説する。
【第2回】様々なパワーデバイス
第2回では様々な種類のパワーデバイスの構造や特性を理解していただくように解説する。
【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造
第3回ではワイドバンドギャップデバイス(WBG)の特性や構造を解説し、パワーモジュールの実装放熱構造について解説する。
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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■注目ポイント
★半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
株式会社AndTech 技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search
株式会社AndTech 書籍一覧
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
株式会社AndTech コンサルティングサービス
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting
本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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【第1回】半導体と半導体デバイス
（日時：9月5日(木) 13:00-16:00 、学習時間：3時間）
1.半導体デバイスに使われる材料
1-1 電気・電子回路に使われる材料
1-2 導体と絶縁体
1-3 抵抗率を変化させる
2.原子と電子
2-1 原子と電子
2-2 電子のエネルギー準位
2-3 原子配列と結晶
2-4 エネルギー準位とエネルギーバンド
3.半導体
3-1 半導体となる材料
3-2 結晶中の電子の運動
3-3 真性・p型・n型半導体
4.ダイオード
4-1 pn接合
4-2 ダイオードの動作
4-3 ダイオードの特性
5.トランジスタ
5-1 トランジスタの種類
5-2 バイポーラトランジスタ
5-3 JFET
5-4 MOSFET
5-5 半導体の製品名
6.演習
【質疑応答】
【第2回】様々なパワーデバイス
（日時：10月3日(木) 13:00-16:00 、学習時間：3時間）
1.ダイオード
1-1 高耐圧ダイオード
1-2 ダイオードの高速スイッチング
2.バイポーラトランジスタ
2-1 縦型トランジスタ
2-2 高耐圧大電流トランジスタ
2-3 パワートランジスタの特性
3.MOSFET
3-1 縦型MOSFET
3-2 構造と特性
3-3 低オン抵抗化
3-4 各種MOSFETの比較
4.サイリスタ
4-1 基本構造
4-2 動作
4-3 特性
5.IGBT
5-1 構造と動作
5-2 出力特性
5-3 IGBTのラッチアップと対策
5-4 微細化・薄型化
5-5 インバータの電力損失の変遷と小型化
5-6 IGBTの高耐圧化
5-7 逆導通IGBT
6.演習
【質疑応答】
【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造
（日時：11月7日(木) 13:00-16:00 、学習時間：3時間）
1.Siからワイドバンドギャップデバイス(WBG)へ
1-1 各デバイスと耐圧の関係
1-2 各デバイスの耐圧理論限界
1-3 ワイドバンドギャップ半導体の物性比較
1-4 SiCとGaNの構造
2.SiCデバイス
2-1 pnダイオード
2-2 SBD
2-3 SiC SBDの効果
2-4 オン抵抗を低減させる構造例
2-5 SiC MOSFETの構造
2-6 SiC DMOSFET
2-7 SiC MOSFETの課題と対応例
2-8 MOSFETの電気特性
2-9 SiCウェハの歩留り
2-10 SiCの結晶成長法
2-11 SiCウェハの加工
2-12 SiCへの期待
2-13 電力損失の比較（Siとの比較）
3.GaNデバイスの開発状況
3-1 GaNデバイスによるパワー素子に期待する理由
3-2 GaNの横型と縦型の構造
3-3 GaN HEMTの特徴
3-4 GaN HEMTの構造例
3-5 縦型GANの課題
3-6 GaNの結晶成長法
3-7 GaNパワーデバイスへの期待
4.パワーモジュールとその実装・放熱構造
4-1 シリコーンゲル封止とエポキシ樹脂封止
4-2 パワーデバイスの高放熱化の動き
4-3 各種冷却構造のモジュール
4-4 インバータの冷却構造とパワーモジュールの関係
5.演習
【質疑応答】
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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