STマイクロエレクトロニクスとInnoscience、GaN技術の開発・製造に関する合意を発表

• GaN技術に関する共同開発契約により、AIデータセンター、再生可能エネルギーの生成･貯蔵、車載用など、未来のパワー･エレクトロニクスを構築

• InnoscienceはSTのヨーロッパの製造拠点を利用し、STは中国におけるInnoscienceの製造拠点を活用

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）と、8インチGaN-on-Si（シリコン基板上に形成した窒化ガリウム）の低コスト生産で世界をリードするInnoscience（HKEX：02577.HK）は、GaN技術の開発および製造に関する契約に合意したことを発表しました。両社は、この契約を通じ、それぞれの強みを活かしてGaNパワー･ソリューションを強化し、サプライ･チェーンのレジリエンスを高めていきます。

両社はGaNパワー･テクノロジーの共同開発イニシアティブに合意し、コンスーマ機器やデータセンター、車載用 / 産業用電源システムや今後数年で登場するより多くの応用機器に向け、将来性のあるGaNパワー技術を発展させていきます。今回の合意により、Innoscienceは中国国外にあるSTのフロントエンド製造拠点で自社のGaNウェハを利用できるようになり、STはInnoscienceの中国のフロントエンド製造拠点でGaNウェハを利用できるようになります。両社に共通する目標は、サプライ･チェーンの柔軟性とレジリエンスによって、それぞれのGaN関連製品を拡張し、幅広い応用機器においてあらゆる顧客ニーズに対応することです。

STのアナログ･パワー&ディスクリート･MEMS･センサグループ 社長であるMarco Cassisは次のようにコメントしています。「ともに統合型半導体メーカーであるSTとInnoscienceは今回の合意を通じて、世界中の顧客の利益となるようにこのモデルを活用していきます。STはまず、GaNパワー技術のロードマップを加速させ、シリコンおよびSiC（炭化ケイ素）製品を補完します。次に、柔軟な製造モデルを活用することにより、全世界の顧客への製品供給を実現します。」

Innoscienceの会長 兼 創業者であるWeiwei Luo博士は次のようにコメントしています。「GaN技術は電子機器の改良に不可欠です。システムの小型化および高効率化により、消費電力とコストを下げ、CO2排出量の削減に貢献します。Innoscienceは他社に先駆けて8インチGaN技術の量産を実現し、10億個以上のGaN製品をさまざまな市場に出荷してきました。今回、STとの戦略的協業を開始できることを大変喜ばしく思います。STとInnoscienceの協業は今後さらに拡大し、GaN技術の採用を加速させることでしょう。両社のチームが一体となり、次世代のGaN技術を開発していきます。」

GaNパワー半導体は、基本的な材料特性を活かして、電力変換、モーション制御、アクチュエーションにおいて新たな基準のシステム性能を実現し、電力損失を大幅に削減します。これにより、さらなる高効率、小型化、軽量化が可能になるため、総ソリューション･コストを下げ、カーボン･フットプリントを削減できます。パワー半導体はコンスーマ機器やデータセンター、産業用電源、ソーラー･インバータでの採用が急速に進んでおり、大幅な小型･軽量化というメリットにより、次世代EVパワートレインの設計にも積極的に組み込まれています。

 

STマイクロエレクトロニクスについて

STは、約50,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送、従業員の出張･通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。

 

Innoscienceについて

Innoscience（HKEX：02577.HK）は、窒化ガリウム（GaN）のプロセスイノベーションおよびパワー半導体製造のグローバル･リーダーです。同社の半導体デバイスの設計と性能はGaNの世界基準となっており、その継続的に改善するという企業文化はGaNの性能向上と市場での採用を加速させています。Innoscienceの窒化ガリウム製品は多数の低 / 中 / 高電圧機器で使用されており、GaNプロセスノードは15V～1200Vに対応します。ウェハやディスクリート製品、集積型パワーIC、各種モジュールを通じて、堅牢なGaNソリューションを顧客に提供しています。800件の特許（出願中を含む）を保有するInnoscienceの製品は、コンスーマ機器、車載用電子機器、データセンター、再生可能エネルギー、産業用電力機器の分野において、優れた信頼性、性能、機能性で知られています。InnoscienceはGaNの明るい未来を築きます。詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

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