遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功 ~GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張~ 2026年9月7日 10時00分 東京理科大学
【ライブ配信セミナー】金属材料の基礎-金属の原子から状態図、塑性変形、強化方法、材料試験まで 4月12日(火)開催 主催:(株)シーエムシー・リサーチ 2022年3月22日 09時30分 CMCリサーチ
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