遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功 ~GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張~ 2026年9月7日 10時00分 東京理科大学
東京理科大学・新宿区と共同主催「qcp Startup Pitch 2026」開催決定!サイエンス・テクノロジー分野のスタートアップを国内外から募集 2026年8月31日 10時30分 東京理科大学インベストメント・マネジメント株式会社
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