遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功 ~GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張~ 2026年9月7日 10時00分 東京理科大学
6月15日(月) AndTech「クリーン技術と静電気技術の基礎から実践できる対策まで ~「不良」を「利益」に変える半導体・電子デバイス製造の手法~」WEBオンラインZoomセミナーを開催予定 2026年5月1日 15時17分 AndTech
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