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オンセミ、産業市場向けに業界をリードする性能を備えたIGBT FS7スイッチプラットフォームを開発
2023年3月22日 11時10分
オンセミ
電力密度と効率を向上した新しいパワーMOSFETを発表
2022年5月20日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
高効率スイッチングにより電力損失を大幅に削減する800V耐圧パワーMOSFETを発表
2021年10月15日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
ディスクリートタイプ(TO-3P)高速ダイオード(60A/200V 非絶縁型)を販売開始
2015年8月18日 14時00分
株式会社三社電機製作所
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オンセミ、産業市場向けに業界をリードする性能を備えたIGBT FS7スイッチプラットフォームを開発
2023年3月22日 11時10分
オンセミ
電力密度と効率を向上した新しいパワーMOSFETを発表
2022年5月20日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
高効率スイッチングにより電力損失を大幅に削減する800V耐圧パワーMOSFETを発表
2021年10月15日 09時20分
STマイクロエレクトロニクス
ディスクリートタイプ(TO-3P)高速ダイオード(60A/200V 非絶縁型)を販売開始
2015年8月18日 14時00分
株式会社三社電機製作所
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