Gaianixx、多能性®中間膜及びエピタキシャル研究開発を加速化させるために、シリーズB 1stラウンドで総額10億円の資金調達を実施
UTEC, JX金属, i-nest capital, JSR-AIFへ第三者割当増資を実施
なお、Gaianixxはこれまでに5億円の資金調達を実施し ており、この度の調達により累計調達額は15億円になります。
◆資金調達の背景と目的
当社の中間膜技術は、次世代の電子デバイスやセンサー、そしてエネルギーハーベスティングシステムなどの基盤となる可能性を秘めています。私たちはこの中間膜技術が持つ大いなる可能性を確信しております。この資金調達により、当技術の商業化に向けて大きく前進できると確信しています。
◆調達資金の使途
今回調達した資金は、主に以下の領域に投資する予定です。
•研究開発の強化：新たな設備投資を行うことで、中間膜技術の性能、信頼性、量産性を向上させるための更なる研究開発に取り組みます。
•採用の強化：研究開発、事業開発を加速化させるために、より多くの同志が必要です。調達資金を活用して、人材獲得を推進します。
これにより、当社は圧電体の結晶膜を初めとする化合物結晶膜製造における技術リーダーシップを確立し、世界の多くの産業に対する価値提供を拡大することを目指しています。
■投資家からのコメント
東京大学エッジキャピタルパートナーズ パートナー 井出啓介氏
シーズ・テクノロジーに大きなポテンシャルを感じ、設立から伴走させて頂きましたが、引き続きシリーズBでも追加投資をさせて頂きました。
EVの普及等と共に化合物半導体の需要は益々増加しており、Gaianixxは化合物半導体における薄膜成長技術であるエピタキシャル成長に必要な中間膜を独自のテクノロジーで作るスタートアップです。
Gaianixxの技術は半導体の性能向上やコスト低減に大いに貢献できるものであり、社会的なインパクトも非常に大きいと思っております。
チーム体制も強く、アカデミアのみならず、ビジネス/製造/品質/知財面でも知見を持つメンバーが揃っており、今後の更なる成長を期待しています。
JX金属株式会社 技術本部技術戦略部 コーポレートベンチャリング担当課長 島田周氏
Gaianixx社の多能性🄬中間膜は、様々な単結晶薄膜の形成を高い品質で実現できる、まさに半導体業界を革新する力を持つ技術です。
JX金属グループは先端材料の開発・供給を通じてGaianixx社の挑戦を応援致します。
また当社の保有する知見を活かして、Gaianixx社の高い技術がグローバルに社会実装されることを共に目指してまいります。
JX金属様ニュースリリース：https://www.jx-nmm.com/newsrelease/2023/20230630_01.html
i-nest capital パートナー 本蔵俊彦氏
出資に際し、半導体の高付加価値化・小型化・低価格化実現に必要不可欠な単結晶高品質ウェハの製造を可能にする革新的な独自技術、創業メンバーの半導体の研究・経営・品質知見などそれぞれの分野で卓越したプロフェッショナルメンバーとチーム力、および東京大学との継続した研究開発を強みに、同社が日本のみならず世界の半導体市場において次世代先進技術のリーディングカンパニーとなり得る将来性を評価し、今回の出資に至りました。
i-nest capitalは今回の資金提供に加え、各パートナーの豊富な支援実績及び広範なネットワークを活かして、Gaianixxの企業価値向上に貢献してまいります。
i-nest様プレスリリース：https://www.i-nestcapital.com/news/230630.html
JSR Active Innovation Fund合同会社 投資部 助口大介氏
JSR Active Innovation Fund（JSR-AIF）は、社会課題を解決できるテクノロジーソリューションを持つスタートアップに投資しています。その中でもGaianixx社は高性能化だけではなく、より省電力で小型な半導体の製造を実現することによって、さまざまな社会課題解決への貢献ができると考えています。
また、多様な素材で高品質な単結晶膜を成膜可能なこの技術は、今後新しい半導体材料やデバイスの開発へと広がっていくことが期待されます。
JSR-AIFは、今回の資金提供に加えて、これまでJSRが培ってきた技術的な知見も活用し、Gaianixx社の企業価値向上を支援していきます。
JSR様ニュースリリース：https://www.jsr.co.jp/news/2023/20230706.html
■代表取締役 中尾健人
本ラウンドでは当社の技術及び事業内容を新たな機関投資家様や事業主様（CVC）にも幅広く御理解頂き、当社多能性®中間膜が半導体のエンジンともいえるエピタキシャル膜に大きなイノベーションをもたらせる可能性に大きな関心と期待を持って頂きました事に深く感謝をしております。
今後も成長を加速させていく半導体エコシステムへの貢献を目指し、産業に関わる企業との「競争」ではなく「共創」を実現し、経済・産業全体の発展と革新のサポートをして参る所存です。
また、科学の持つ力でデジタルテクノロジーとサステナビリティの融合により積極的な環境保全活動のリーディングカンパニーを目指して参ります。
（言葉の説明）
多能性®中間膜とは
基板と半導体膜の格子不整合を駆動力として双晶型マルテンサイト変態を生じ、格子不整合を緩和し上部半導体膜を高品質結晶化させるGaianixx独自の中間膜。
エピタキシャル成長とは
結晶基板の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて単結晶の薄膜を配列する成長機構。
株式会社Gaianixxについて
株式会社Gaianixxは「多能性®中間膜”で世界をリノベートする」ことをミッションとして、多能性®中間膜及びエピタキシャル研究開発・製造・販売する東京大学発テクノロジーベンチャー企業です。
現在Gaianixxではミッション実現に向けて協働してくれる仲間を積極的に探しております。募集中のポジションはhttps://gaianixx.com/recruit/をご覧ください。募集中のポジションに当てはまるものがなくとも、Gaianixxで半導体業界にイノベーションを起こす仲間に入ることに興味がある方は https://gaianixx.com/contact/ までご連絡ください。
＜会社概要＞
会社名：株式会社Gaianixx
本社所在地：東京都文京区本郷7-3-1東京大学 南研究棟アントレプレナーラボ
代表者：代表取締役社長CEO 中尾健人
設立日：2021年11月
事業内容：多能性®中間膜及びエピタキシャル研究開発・製造・販売
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