東レリサーチセンター、半導体・電子材料の最新分析技術を公開するイベントを開催【参加無料】

65件のポスター展示と技術講演で、開発・量産・信頼性評価に活きる実践的知見を提供

来る 2026年6月19日（金）、株式会社東レリサーチセンター主催「半導体・電子材料ポスターセッション2026」 を東京都大田区産業プラザ（PiO）にて開催いたします。

本イベントは、半導体デバイス・装置・材料メーカーの皆様 を主な対象として、半導体・電子材料分野における 最新の分析技術と応用事例を、研究者との直接対話形式でご紹介するイベントです。

当日は、

　・半導体・電子材料分野を網羅した 65件のポスター展示

　・先端デバイス・パッケージ・材料評価をテーマとした 技術講演

　・ポスター前で 研究者に直接相談・議論できるフリーディスカッション

を予定しております。

「どの分析で、どこまで分かるのか」「開発・量産・信頼性で、次に何を見るべきか」といった実務に直結するヒントを、その場で得ていただける内容となっております。

参加費は無料 です。

半導体・電子材料開発、プロセス、評価・解析に携わる皆様のご参加を、心よりお待ちしております。

※同業他社関係者の皆様にはご参加をご遠慮いただいております。

何卒ご理解のほどよろしくお願い申し上げます。

◆開催日時：2026年6月19日（金）13：00～17：00

◆開催会場：東京都大田区産業プラザ（PiO） 大ホール

◆参加費：無料

◆参加申込み：以下「詳細・事前登録（無料）はこちら」ボタンよりご登録ください。本イベントは事前登録制となっております。

詳細・事前登録（無料）はこちら

※本イベントは事前登録が必要です。
※同業他社関係者の皆様にはご参加をご遠慮いただいております。何卒ご理解のほどよろしくお願い申し上げます。

◆講演内容

1. 酸化物半導体を有する積層薄膜の深さ方向膜質評価

   酸化物半導体は、3次元集積化技術への応用が期待されている。

   一方で、極薄積層構造においては、アニール処理に伴う膜質変化や界面反応がデバイス特性に大きな影響を及ぼす可能性がある。

   本講演では、IGO/HfO₂/TiN積層膜を対象として、深さ方向における構造および化学状態の変化を評価した事例を紹介する。

2. 光電融合の社会実装を支える評価技術

   データセンター電力消費の急増に対応し、低消費電力・高速伝送を実現する光電融合技術が注目されている。

   本講演では通信機能を担う光半導体デバイスおよび光導波路の分析評価事例を報告する。

3. 先端パッケージ分野における接合技術の課題解決

   先端パッケージ分野では、高密度化に伴う接合界面の信頼性低下が課題であり、材料・プロセスや接合技術の最適化による解決が求められている。

   本講演では課題解決に向けた評価技術として、接合界面の直接評価、接合強度等の事例を紹介する。

4. AFM-IRによるCu/Low-k配線の局所構造解析

   AFM-IRは、約30 nmの高い空間分解能で化学構造解析が可能な分析手法である。

   本講演では、AFM-IRを半導体無機材料へ適用した事例として、Cu/Low-k配線におけるLow-k材料の局所構造解析について報告する。

◆ポスター展示内容

展示ポスターの一部をご紹介します。展示内容は変更になる可能性があります。

１：電子状態・欠陥・光学特性評価（デバイス性能の源泉）
　・ESR分析による種々の絶縁膜および界面の欠陥量評価

　・ESR法によるゲート絶縁膜/Si界面近傍の詳細欠陥量評価

　・分光学的手法によるイオン注入SiCの結晶ダメージ評価

　・冷却条件下における近赤外PLイメージングを用いたSiGe膜の発光評価

　・広帯域の光学特性評価～深紫外（DUV）からテラヘルツ（THz）まで～

　・UPSとIPESによる電子状態解析

　・低ダメージSTEM-EELSによるカラーフィルターの局所光学特性評価

　・STEM, CL, DLTSによるGaN-HEMTの構造および欠陥の多角的解

２：薄膜・界面構造解析（成膜・プロセス評価）

　・ALD-SiN膜の界面構造解析（FT-IR）

　・高温in situ  XRDを用いた結晶構造解析

　・AFM-IRを用いた半導体無機材料の構造解析～Cu/Low-kサブマイクロ配線の局所解析～

　・試料冷却下でのGCIB-TOF-SIMSを用いたペロブスカイト太陽電池の深さ方向分析

　・酸化物半導体を有する積層薄膜の深さ方向膜質評価

　・SiOC薄膜の電気特性と組成・結合状態・空孔評価

３：微細構造・3D観察・in situ解析（“見ながら測る”）

　・加熱・ガス流通in-situ XAFSを用いたNiシリサイド形成過程の化学状態評価

　・トレンチ側壁評価技術

　・（新規）GAAのSTEM評価

　・プラズマFIBによるOLEDディスプレイTFT部の3D-SEM-EDX解析

　・加熱in-situ TEMを用いた接合試料の原子再配列挙動の可視化

　・ハイエンドS/TEM装置を駆使した量子ドットの微細構造評価

　・SEM内 in-situ 引張試験によるはんだ／Cu接合部の破断挙動の可視化

　・ペロブスカイト太陽電池断面の高精度SEM観察

４：元素・不純物・トレース分析（ppm～ppbを捉える）

　・酸化ガリウム(Ga₂O₃)における大気成分元素の高感度SIMS分析

　・SiC MOSFET トレンチ近傍のNanoSIMS分析

　・SIMSおよびGD-MSを用いたSiCの全元素バルク分析

　・NRA(N)による微量N定量技術

　・親水性材料表面の特定領域における金属不純物定量分析（ICP-MS）

　・fsLA-ICP-MSによるSiC基板中金属不純物分析

　・ガルバノ光学系搭載 fsLA-ICP-MSの分析メニュー

　・spICP-MSによるレジスト中の金属微粒子分析

　・酸化ガリウムのイオン注入プロセス評価における各種分析事例紹介

５：プロセス材料・薬液・レジスト・環境分析（製造を支える材料・薬液評価）

　・EUVリソグラフィー用化学増幅型レジスト中のポリマーバウンド光酸発生剤の構造解析

　・ここまでわかる！導電性接着剤の有機組成分析

　・Nano-ESI-Orbitrap MSによるEUVレジスト用有機金属化合物の構造評価

　・めっき液中の不安定な金属錯体の分析が可能に！

　・めっき液・スラリー中の錯化剤分析

　・PFAS評価 ～純度分析、不純物定性分析～

６：デバイス・パッケージ・信頼性評価（実装・使用環境を見据えて）

　・300mmウェハ対応水銀プローブ測定装置による高精度比誘電率分布評価

　・ナノプロービングシステムを用いたAu-Al金属間化合物の電気特性評価

　・ハイブリッド接合プロセスの最適化 -ウエハ接合試料の界面分析-

　・半導体パッケージ信頼性試験後のAlワイヤ不良箇所特定と界面構造解析

７：表面・界面・濡れ性・接着評価（“くっつく・はがれる”の科学）

　・狭小部、曲面部の表面自由エネルギー測定

　・接着メカニズムを探る

　・分子動力学シミュレーションによる界面の親和性・接着性解析

８：機械特性・熱物性評価（材料の“強さ・熱”を知る）

　・デジタル画像相関法を用いた実装基板内部の熱ひずみ測定

　・ナノインデンテーションによる物性マッピング

　・（新規）新規TDTR法による薄膜・微小部の熱伝導率測定

　・物性値測定はお任せください

９：ガス・アウトガス・揮発成分分析（見えないリスクを捉える）

　・（新規）パッケージ材料のガス分析

　・TDSによる半導体材料からの加熱脱離ガス分析

　・フィルムの片面発生ガス分析

　・耐熱性樹脂の高温加熱時アウトガス分析

　・身近な梱包材からも硫黄化合物が発生！！

１０：樹脂・有機材料の構造・劣化・硬化解析（劣化挙動を解き明かす）

　・半導体封止用樹脂の熱硬化挙動解析

　・赤外pMAIRS測定による薄膜の分子配向評価

　・AFM-IRによるナノ局所領域におけるポリマー材料の多次元相関イメージング

　・樹脂の劣化メカニズムを知る

　・熱分析とMDシミュレーションによる樹脂熱硬化過程におけるフィラーの影響の解析

１１：サービス・ソリューション紹介（TRCの総合力）

　・宇宙開発関連の高度分析支援サービスの開始

　・超純水の管理―水質モニタリングと異常対応―

　・グローバル市場をサポートする東レリサーチセンターの高度分析サービス

　・欧州現地での東レリサーチセンターの高精度化学分析サービス

　・中国現地での東レリサーチセンターの高精度組成分析サービス

　・機器分析から評価するデータセンター用バックアップ電源の「安全性」

　・電子デバイス切り出しによる物性値実測【NTTデバイスクロステクノロジ株式会社】

詳細・参加申し込み（無料）はこちら

※本イベントは事前登録が必要です。
※同業他社関係者の皆様にはご参加をご遠慮いただいております。何卒ご理解のほどよろしくお願い申し上げます。