4月16日(火) AndTech「次世代パワーデバイス　～SiC・GaN・酸化ガリウムの市場拡大予測と技術ロードマップ、今後の業界展望～」WEBオンラインZoomセミナーを開催予定

筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸 氏 にご講演いただきます。

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、次世代パワーデバイスについて、第一人者からなる「次世代パワーデバイス　～SiC・GaN・酸化ガリウムの市場拡大予測と技術ロードマップ、今後の業界展望～」講座を開講いたします。

　本セミナーでは、xEV化ならびにAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説します。

本講座は、2025年4月16日開講を予定いたします。 

詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1effd591-e0f1-6b42-9b20-064fb9a95405

• Live配信・WEBセミナー講習会　概要

テーマ：次世代パワーデバイス　～SiC・GaN・酸化ガリウムの市場拡大予測と技術ロードマップ、今後の業界展望～

開催日時：2025年04月16日(水) 13:30-17:30

参 加 費：45,100円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1effd591-e0f1-6b42-9b20-064fb9a95405

WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

• セミナー講習会内容構成

  ープログラム・講師ー

筑波大学　 数理物質系　教授　 岩室　憲幸　氏

• 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課程

①パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向
②シリコンパワー半導体デバイスの強み
③SiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体デバイスの特徴と課題
④シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術
⑤最新実装技術の動向

• 本セミナーの受講形式

　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

• 株式会社AndTechについて

　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、

　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」

　「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

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• 株式会社AndTech　技術講習会一覧

一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。

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• 株式会社AndTech　書籍一覧

選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。

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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。

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• 本件に関するお問い合わせ

株式会社AndTech　広報PR担当 青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

• 下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

【講演主旨】

　2025年現在、自動車の電動化（xEV化）の進展に少しブレーキがかかっているようであるが、世界各国の開発の最前線では、その開発に向け大きく進展し続けている。そしてxEVは、もはや止めることのできない大きな潮流となった。さらにAI化の流れにのってデータセンタの建設が世界各地で進んでいる。このデータセンタはその電力消費が莫大と言われており、その電源の高効率化は喫緊の課題でもある。
　これらxEV化ならびにデータセンター内電源の高効率化の進展には高性能パワーデバイスが必要不可欠であり，特に新材料パワーデバイスであるSiC/GaNパワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。
　本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。さらに次々世代パワーデバイスとして期待される酸化ガリウムデバイスについてもわかりやすく解説したい。

【プログラム】

1．パワーエレクトロニクス・パワー半導体デバイスとは？
　1-1　パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3　パワーデバイスの適用分野
　1-4　次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
　2-1　MOSFET・IGBT開発のポイント
　2-2　特性向上への挑戦
　2-3　MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
　2-4　最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
　2-5　新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発

3．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2　SiCのSiに対する利点
　3-3　SiCデバイス普及拡大のポイント
　3-4　SiCウェハ技術の進展
　3-5　なぜ各社はSiC-MOSFETの低オン抵抗化を目指すのか
　3-6   内蔵ダイオード信頼性向上のポイント
　3-7　最新SiC-MOSFET技術

4．GaNパワーデバイスの現状と課題　
　4-1　GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　4-2　GaN-HEMTの特徴と課題
　4-3　GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
　4-4　最近のGaN-HEMTパワーデバイス開発トピックス
　4-5　縦型GaNデバイスの動向

５．酸化ガリウムパワーデバイスの開発
　5-1 酸化ガリウムの特徴
　5-2 最近の開発トピックス

６．高温対応実装技術
　6-1　高温動作ができると何がいいのか
　6-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　6-3　ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

【質疑応答】

【講演の最大のPRポイント】

　xEV化ならびにAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。

＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。

＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以　上