11月13日(木)「SiC単結晶ウェハの製造プロセスと開発・ビジネス展開　～バルク結晶成長からウェハ加工、エピタキシャル薄膜成長技術～」Zoomセミナーを開講予定

【関西学院大学　工学部　電気電子応用工学課程　教授：大谷　昇　氏】に、ご講演をいただきます。

AndTech

2025年10月8日 15時09分

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）はR&D開発支援の一環として、「SiCパワー半導体開発」と「SiC単結晶」について解説します。

　SiC単結晶の製造と加工、信頼性を向上させるエピタキシャル薄膜成長技術など、SiC単結晶ウェハに関する基礎知識とビジネス展望を学べる講座です。SiC単結晶ウェハ開発において、今後取り組むべき課題や方針を示します。

Live配信・WEBセミナー講習会　概要

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テーマ：SiC単結晶ウェハの製造プロセスと開発・ビジネス展開

　　　　～バルク結晶成長からウェハ加工、エピタキシャル薄膜成長技術～

開催日時：2025年11月13日(木) 10:30-16:30

録画視聴：11/17～12/22の期間、ご視聴可能

参加費：49,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

URL：https://andtech.co.jp/seminars/1f066bd1-be45-6062-a50a-064fb9a95405

WEB配信形式：

　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

セミナー講習会内容構成

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関西学院大学　工学部　電気電子応用工学課程　教授：大谷　昇　氏

本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

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　①SiCパワー半導体に関する基礎知識と開発・ビジネスの概況

　②SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識と開発・ビジネスの概況

下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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【講演のポイント】

　本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

【プログラム】

【10:30〜12:00】SiCパワー半導体開発の現状

　1. SiCパワー半導体開発の背景

　　1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け

　　1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

　2. SiCパワー半導体開発の歴史

　　2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期

　　2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

　3. SiCパワー半導体開発の現状と動向

　　3.1. SiCパワー半導体の市場

　　3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向

　　3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース

　4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用

　　4.1. SiC単結晶とは？

　　4.2. SiC単結晶の物性と特長

　　4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用

　5. SiCパワーデバイスの最近の進展

　　5.1. SiCパワーデバイスの特長

　　5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状

　　5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用

【13:00〜14:30】SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望

　6. SiC単結晶のバルク結晶成長

　　6.1. SiC単結晶成長の熱力学

　　6.2. 昇華再結晶法

　　6.3. 溶液成長法

　　6.4. 高温CVD法（ガス法）

　　6.5. その他成長法

　7. SiC単結晶ウェハの加工技術

　　7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス

　　7.2. SiC単結晶の切断技術

　　7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術

　8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術

　　8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要

　　8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【14:40〜16:10】SiC単結晶ウェハ製造の技術課題

　9. SiC単結晶のポリタイプ制御

　　9.1. SiC単結晶のポリタイプ現象

　　9.2. 各種ポリタイプの特性

　　9.3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

　10. SiC単結晶中の拡張欠陥

　　10.1. 各種拡張欠陥の分類

　　10.2. 拡張欠陥の評価法

　11. SiC単結晶のウェハ加工

　　11.1. ウェハ加工の技術課題

　　11.2. ウェハ加工技術の現状

　12. SiCエピタキシャル薄膜成長

　　12.1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題

　　12.2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状

　13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御

　　13.1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性

　　13.2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状

　14. SiC単結晶ウェハの高品質化

　　14.1. マイクロパイプ欠陥の低減

　　14.2. 貫通転位の低減

　　14.3. 基底面転位の低減

　15. まとめ

【16:10〜16:30】　質疑応答・総合討論

株式会社AndTechについて

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　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、

　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

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