【ライブ配信セミナー】5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題 9月16日(木)開催 主催:(株)シーエムシー・リサーチ
本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったウェビナー(ライブ配信セミナー)となります。
先端技術情報や市場情報を提供している(株)シーエムシー・リサーチ(千代田区神田錦町: https://cmcre.com/ )では、 各種材料・化学品などのほか、通信・自動車関連などの市場動向・技術動向のセミナーや書籍発行を行っておりますが、 このたび「5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」と題するセミナーを、 講師に岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授)をお迎えし、2021年9月16日(木)10:30より、 ZOOMを利用したライブ配信で開催いたします。 受講料は、 一般:55,000円(税込)、 弊社メルマガ会員:49,500円(税込)、 アカデミック価格は26,400円(税込)となっております(資料付)。
セミナーの詳細とお申し込みは、 弊社の以下URLをご覧ください!
https://cmcre.com/archives/76932/
質疑応答の時間もございますので、 是非奮ってご参加ください。
セミナーの詳細とお申し込みは、 弊社の以下URLをご覧ください!
https://cmcre.com/archives/76932/
質疑応答の時間もございますので、 是非奮ってご参加ください。
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説します。COVID-19前の半導体市況は、WSTS世界半導体市場予測によれば2020年は対前年比約6%増と、2018年から続いていた低迷から脱して市況が上向きつつありました。そのけん引役は、5Gの商用化ならびに自動車の電動化でああります。4Gから5Gへの進展により、データ通信速度が高速化し扱うデータ量も増加するとなるとデータセンタ内サーバ用電源の需要が増大し、そこにパワー半導体の活躍の場が生まれます。また世界各国で自動車電動化(xEV)が大きく進展しており、世界全体でEVやPHV開発が本格化し始めました。サーバ用電源やEV,PHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料パワーデバイスの普及が大いに期待されています。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていません。SiC/GaNパワーデバイスの今後について、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説いたします。
1)セミナーテーマ及び開催日時
テーマ:5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題
開催日時:2021年9月16日(木)10:30~16:30
参 加 費:55,000円(税込) ※ 資料付
* メルマガ登録者は 49,500円(税込)
* アカデミック価格は 26,400円(税込)
講 師:岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授
【セミナーで得られる知識】
データセンタ用電源やxEVにおけるパワーデバイスの使われ方。パワーデバイス全体の最新技術動向、Si,SiC,GaNデバイス・実装最新技術、Si、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など
※本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
2)申し込み方法
シーエムシー・リサーチの当該セミナーサイト
https://cmcre.com/archives/76932/
からお申し込みください。
折り返し、 視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
詳細はURLをご覧ください。
3)セミナープログラムの紹介
1.パワーエレクトロニクスとは?
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは
1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か
2.最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
2-2 特性向上への挑戦
2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
2-4 最新のMOSFET・IGBT技術:まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
2-5 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは?
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 SiC-MOSFETプロセス
3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
3-6 最新SiC-MOSFET技術
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
4-5 縦型GaNデバイスの最新動向
5.高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 ますます重要度を増す
4)講師紹介
【講師略歴】
1998年 博士(工学)(早稲田大学)。富士電機(株)に入社後、1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar
1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月~2013年3月 産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
【活 動】
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2021 組織委員会委員。日経エレクトロニクス パワエレアワード 2020 最優秀賞(2020年)。
【著 書】
1) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装(科学情報出版(株))(2019年9月発刊)
2) SiC/GaN パワーエレクトロニクス普及のポイント(監修)(S&T出版)(2018年1月発刊)
3) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開(監修)(シーエムシー出版)(2015年6月発刊)
4) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない- (編集委員)(電気学会)(2008年12月発刊
5)セミナー対象者や特典について
※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
★ 受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
【セミナー対象者】
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者
☆詳細とお申し込みはこちらから↓
https://cmcre.com/archives/76932/
6)ウェビナー(オンライン配信セミナー)のご案内
〇スパースモデリングのマテリアルズインフォマティクスへの活用(Python ハンズオンあり)
開催日時:2021年9月1日(水)10:30~16:30
https://cmcre.com/archives/81017/
〇水素製造技術の動向とその規模およびコスト
開催日時:2021年9月1日(水)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/80882/
〇リビング重合の基礎と応用:高分子の精密合成から構造制御材料へ
開催日時:2021年9月2日(木)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/72101/
〇バッチ技術では実現できないフローマイクロリアクター合成・生産技術まで
開催日時:2021年9月2日(木)10:30~16:30
https://cmcre.com/archives/80946/
〇レジスト材料/プロセスの基礎知識と実務上の最適化技術
開催日時:2021年9月3日(金)10:30~16:30
https://cmcre.com/archives/78738/
〇シランカップリング剤:反応メカニズムと使い方
開催日時:2021年9月3日(金)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/68409/
〇マテリアルズインフォマティクスの中核をなす計算科学シミュレーション技術
開催日時:2021年9月3日(月)9:30~15:30
https://cmcre.com/archives/75933/
〇カーボンニュートラルに向けた二酸化炭素の再資源化・Power to Gas・e-fuelとカーボンプライシングの動向
開催日時:2021年9月6日(月)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/80770/
〇ファインバブルの基礎と産業的な使用事例
開催日時:2021年9月6日(月)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/81981/
〇電子機器のEMCの基礎とノイズ対策の勘所
開催日時:2021年9月7日(火)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/76227/
〇カーボンリサイクル合成燃料の基礎と応用
開催日時:2021年9月7日(火)13:30~15:30
https://cmcre.com/archives/82122/
〇自動車用ワイヤレス給電の基礎と実用化に向けた法整備・標準化、及び技術的課題
開催日時:2021年9月7日(火)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/81994/
☆開催予定のウェビナー一覧はこちらから!↓
https://cmcre.com/archives/category/cmc_all/
7)関連書籍のご案内
☆発行書籍の一覧はこちらから↓
https://cmcre.com/archives/category/cmc_all/
以上
1)セミナーテーマ及び開催日時
テーマ:5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題
開催日時:2021年9月16日(木)10:30~16:30
参 加 費:55,000円(税込) ※ 資料付
* メルマガ登録者は 49,500円(税込)
* アカデミック価格は 26,400円(税込)
講 師:岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授
【セミナーで得られる知識】
データセンタ用電源やxEVにおけるパワーデバイスの使われ方。パワーデバイス全体の最新技術動向、Si,SiC,GaNデバイス・実装最新技術、Si、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など
※本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
2)申し込み方法
シーエムシー・リサーチの当該セミナーサイト
https://cmcre.com/archives/76932/
からお申し込みください。
折り返し、 視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
詳細はURLをご覧ください。
3)セミナープログラムの紹介
1.パワーエレクトロニクスとは?
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは
1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か
2.最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
2-2 特性向上への挑戦
2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
2-4 最新のMOSFET・IGBT技術:まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
2-5 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは?
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 SiC-MOSFETプロセス
3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
3-6 最新SiC-MOSFET技術
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
4-5 縦型GaNデバイスの最新動向
5.高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 ますます重要度を増す
4)講師紹介
【講師略歴】
1998年 博士(工学)(早稲田大学)。富士電機(株)に入社後、1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar
1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月~2013年3月 産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
【活 動】
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2021 組織委員会委員。日経エレクトロニクス パワエレアワード 2020 最優秀賞(2020年)。
【著 書】
1) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装(科学情報出版(株))(2019年9月発刊)
2) SiC/GaN パワーエレクトロニクス普及のポイント(監修)(S&T出版)(2018年1月発刊)
3) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開(監修)(シーエムシー出版)(2015年6月発刊)
4) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない- (編集委員)(電気学会)(2008年12月発刊
5)セミナー対象者や特典について
※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
★ 受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
【セミナー対象者】
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者
☆詳細とお申し込みはこちらから↓
https://cmcre.com/archives/76932/
6)ウェビナー(オンライン配信セミナー)のご案内
〇スパースモデリングのマテリアルズインフォマティクスへの活用(Python ハンズオンあり)
開催日時:2021年9月1日(水)10:30~16:30
https://cmcre.com/archives/81017/
〇水素製造技術の動向とその規模およびコスト
開催日時:2021年9月1日(水)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/80882/
〇リビング重合の基礎と応用:高分子の精密合成から構造制御材料へ
開催日時:2021年9月2日(木)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/72101/
〇バッチ技術では実現できないフローマイクロリアクター合成・生産技術まで
開催日時:2021年9月2日(木)10:30~16:30
https://cmcre.com/archives/80946/
〇レジスト材料/プロセスの基礎知識と実務上の最適化技術
開催日時:2021年9月3日(金)10:30~16:30
https://cmcre.com/archives/78738/
〇シランカップリング剤:反応メカニズムと使い方
開催日時:2021年9月3日(金)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/68409/
〇マテリアルズインフォマティクスの中核をなす計算科学シミュレーション技術
開催日時:2021年9月3日(月)9:30~15:30
https://cmcre.com/archives/75933/
〇カーボンニュートラルに向けた二酸化炭素の再資源化・Power to Gas・e-fuelとカーボンプライシングの動向
開催日時:2021年9月6日(月)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/80770/
〇ファインバブルの基礎と産業的な使用事例
開催日時:2021年9月6日(月)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/81981/
〇電子機器のEMCの基礎とノイズ対策の勘所
開催日時:2021年9月7日(火)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/76227/
〇カーボンリサイクル合成燃料の基礎と応用
開催日時:2021年9月7日(火)13:30~15:30
https://cmcre.com/archives/82122/
〇自動車用ワイヤレス給電の基礎と実用化に向けた法整備・標準化、及び技術的課題
開催日時:2021年9月7日(火)13:30~16:30
https://cmcre.com/archives/81994/
☆開催予定のウェビナー一覧はこちらから!↓
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7)関連書籍のご案内
☆発行書籍の一覧はこちらから↓
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以上
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