【ライブ配信セミナー】次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題　8月28日（木）開催　主催：(株)シーエムシー・リサーチ

★高効率・高耐圧・高温対応――SiC・GaNで進化するxEVとデータセンタ電源次世代パワーデバイスの可能性と課題を徹底解説！

CMCリサーチ

2025年7月25日 09時00分

先端技術情報や市場情報を提供している(株)シーエムシー・リサーチ（千代田区神田錦町： https://cmcre.com/ ）では、各種材料・化学品などの市場動向・技術動向のセミナーや書籍発行を行っておりますが、このたび「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」と題するセミナーを、講師に岩室憲幸氏（筑波大学数理物質系物理工学域　教授）をお迎えし、2025年8月28日（木）10：30より、 ZOOMを利用したライブ配信で開催いたします。受講料は、一般：55,000円（税込）、弊社メルマガ会員：49,500円（税込）、アカデミック価格は26,400円（税込）となっております（資料付）。

セミナーの詳細とお申し込みは、弊社の以下URLをご覧ください！

質疑応答の時間もございますので、是非奮ってご参加ください。

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【セミナーで得られる知識】

　・データセンタ用電源やxEVにおけるパワーデバイスの使われ方

　・パワーデバイス全体の最新技術動向

　・Si,SiC,GaNデバイス・実装最新技術

　・Si、SiCデバイス特有の設計

　・プロセス技術　　　　　など

【セミナー対象者】

　・パワーエレクトロニクス開発担当

　・パワーデバイス開発担当

　・パワーエレクトロニクス機器販売

　・パワーデバイス販売担当者

1）セミナーテーマ及び開催日時

テーマ：次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題

開催日時：2025年8月28日（木）10：30～16：30

参加費：55,000円（税込） ※ 資料付

　　　＊メルマガ登録者は 49,500円（税込）

　　　＊アカデミック価格は 26,400円（税込）

講師：岩室憲幸氏筑波大学数理物質系物理工学域　教授

〈セミナー趣旨〉

　本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。さらにAI化の流れにのってデータセンタの建設が世界各地で進んでいる。このデータセンタはその電力消費が莫大と言われており、サーバ用電源の高効率化は喫緊の課題でもある。

　これらxEV化ならびにサーバ用電源の高効率化の進展には高性能パワーデバイスが必要不可欠であり，特に新材料パワーデバイスであるSiC/GaNパワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。SiC/GaNパワーデバイスの今後について、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。

※本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。

★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。

2）申し込み方法

シーエムシー・リサーチの当該セミナーサイトからお申し込みください。

折り返し、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。

詳細はURLをご覧ください。

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3）セミナープログラムの紹介　　

1．パワーエレクトロニクスとは？
　1-1　パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3　パワーデバイスの適用分野
　1-4　高周波動作のメリットは
　1-5　パワーデバイス開発のポイントは何か
　　
2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
　2-1　MOSFET・IGBT開発のポイント
　2-2　特性向上への挑戦
　2-3　MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
　2-4　最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
　2-5　新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
　　
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2　SiCのSiに対する利点
　3-3　SiC-MOSFETプロセス
　3-4　SiCデバイス普及拡大のポイント
　3-5　SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
　3-6　最新SiC-MOSFET技術
　　
4．GaNパワーデバイスの現状と課題　
　4-1　GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　4-2　GaN-HEMTの特徴と課題
　4-3　GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
　4-4　GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　4-5　縦型GaNデバイスの最新動向
　　
5．高温対応実装技術
　5-1　高温動作ができると何がいいのか
　5-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5-3　ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発　　