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遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功 ～GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張～

2026年9月7日 10時00分 東京理科大学 　　 　　

3月13日(金) AndTech「レアアース依存低減に向けた蛍光体材料の最新動向～量子ドット・フッ化物・窒化物・酸化物の分子設計とLED・ディスプレイほか」WEBオンラインZoomセミナーを開催予定

2026年1月27日 17時54分 AndTech 　　 　　

10月29日(火)　AndTech「樹脂複合材料の高熱伝導化に向けた窒化ホウ素フィラーの開発動向と配向制御およびパワーモジュールへの適用に向けた展望」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定

2024年9月11日 13時19分 AndTech 　　 　　

「ワイドギャップ半導体の要素技術とその応用」 鵜飼 育弘 著 発行：（株）シーエムシー・リサーチ販売中止のお知らせ

2019年3月11日 21時20分 CMCリサーチ 　　 　　

耐圧600Vで連続安定動作可能なGaNパワートランジスタを開発

2013年3月19日 14時06分 パナソニックグループ