プレスリリース・ニュースリリース配信サービスのPR TIMES
プレスリリースを受信
企業登録申請
ログイン
検索
Created with Sketch.
Top
テクノロジー
モバイル
アプリ
エンタメ
ビューティー
ファッション
ライフスタイル
ビジネス
グルメ
スポーツ
「超ウルトラワイドギャップ半導体」に関するプレスリリース一覧
表示切替
サムネイルビューに切り替え
画像 + テキスト
リストビューに切り替え
テキストのみ
Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)薄膜の作製に成功~次世代半導体材料r-GeO₂を安価に実現する道を拓く~
2025年7月23日 10時00分
Patentix株式会社
r-GeO₂半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功
2025年7月23日 10時00分
Patentix株式会社
r-GeO₂半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認~複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ~
2025年7月18日 11時00分
Patentix株式会社
ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶の合成に成功
2025年6月30日 14時00分
Patentix株式会社
もっと見る
Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)薄膜の作製に成功~次世代半導体材料r-GeO₂を安価に実現する道を拓く~
2025年7月23日 10時00分
Patentix株式会社
r-GeO₂半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功
2025年7月23日 10時00分
Patentix株式会社
r-GeO₂半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認~複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ~
2025年7月18日 11時00分
Patentix株式会社
ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶の合成に成功
2025年6月30日 14時00分
Patentix株式会社
もっと見る
ページトップへ戻る