プレスリリース・ニュースリリース配信サービスのPR TIMES

Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）薄膜の作製に成功～次世代半導体材料r-GeO₂を安価に実現する道を拓く～

2025年7月23日 10時00分 Patentix株式会社 　　 　　

r-GeO₂半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功

2025年7月23日 10時00分 Patentix株式会社 　　 　　

r-GeO₂半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認～複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ～

2025年7月18日 11時00分 Patentix株式会社 　　 　　

ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶の合成に成功

2025年6月30日 14時00分 Patentix株式会社