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『びわこ半導体構想 技報』創刊号 発行のお知らせ

2026年8月6日 10時00分 Patentix株式会社 　　 　　

応用物理学会 先進パワー半導体分科会第32回研究会「ウルトラワイドバンドギャップ半導体デバイス最前線」にて講演のお知らせ

2026年7月27日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

テクノフロンティア2026展に出展します

2026年7月6日 10時00分 Patentix株式会社 　　 　　

エレクトロニクス実装学会関西支部主催「実装フェスタ関西2026」における招待講演およびポスター発表のお知らせ

2026年6月30日 15時00分 Patentix株式会社 　　 　　

Si基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の単結晶膜の成膜に成功

2026年5月13日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

6インチSi基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の成膜に成功

2026年5月13日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

「びわこ半導体構想」本格始動に向けての事務局設立のお知らせ

2026年5月13日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

アクセプタ不純物をイオン注入したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜においてp型のショットキーバリアダイオード特性の発現を確認

2026年3月31日 16時20分 Patentix株式会社 　　 　　

FZ法を用いたr-GeO₂バルク結晶の育成に世界で初めて成功

2025年10月31日 09時00分 Patentix株式会社 　　 　　

r-GeO₂半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功

2025年7月23日 10時00分 Patentix株式会社