第87回 応用物理学会 秋季学術講演会、およびSSDM 2026にて発表のお知らせ

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2026年8月28日

Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐 豊祐）は、2026年9月8日(火)～11日(金)に開催される第87回 応用物理学会 秋季学術講演会、および2026年9月14日(月)～17日(木) に開催される2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2026)にて、当社が研究開発を進めるルチル型二酸化ゲルマニウムについての成果を発表します。

・2026年 第87回 応用物理学会 秋季学術講演会

　期間　2026年9月8日 (火) 〜 11日 (金)

　場所　北海道大学 札幌キャンパス ＆ オンライン

■ 2026年9月9日(水) 16:00 〜 19:00　場所：B11 (工学部 B棟)

　21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

　・17:00 〜 17:15　r-GeO2バルク基板上におけるn型導電性膜の形成と評価

　・講演者：川西 健太郎

・SSDM 2026 (2026 International Conference on Solid State Devices and Materials)

期間　2026年9月14日 (月) 〜 17日 (木)

　場所　出島メッセ長崎

■ 2026年9月15日(火) 13:15 〜 14:45　場所：Room G(103, 1st Floor)

　04: Power / High‐speed Devices and Materials　[G-1] Diamond and Oxide Materials

　・13:45 〜 14:00　“Depletion-mode r-GeO2 MOSFETs Fabricated by Selective Area Growth 　　　　　　via Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition with Ultrasonic Transducers”

　Speaker: K. Norimatsu

　・14:00 〜 14:15　“Formation and Evaluation of n-type Conductive Films on r-GeO2 Bulk 　　　　　　Substrates”

　Speaker: K. Kawanishi