後工程向け半導体露光装置“FPA-5520iV LFオプション”を発売　先端パッケージングの大型化に対応する広画角での露光を実現

キヤノンは、後工程向け半導体露光装置の新製品として、先端パッケージング（※1）向けに52×68mmの広画角を実現した解像力1.5µm（マイクロメートル（※2））のi線ステッパー（※3） “FPA-5520iV LFオプション”を2021年4月上旬に発売します。

FPA-5520iV LFオプション

半導体チップの高性能化においては、半導体製造の前工程での回路の微細化だけでなく、後工程で行われるパッケージングでの高密度化が注目されています。高性能化を実現する先端パッケージングには、微細な再配線（※4）が必要で、近年では半導体露光装置が使用されるようになっています。新製品は、先端パッケージング向けの「FPA-5520iV」（2016年7月発売）の基本性能を継承しつつ、広い画角での回路パターンの露光を実現したことで、ヘテロジニアスインテグレーション（※5）などの幅広い先端パッケージングのニーズに応えます。

■ 新投影光学系の搭載により広画角の一括露光を実現
新投影光学系の搭載により、前工程での露光装置の標準画角である26×33mmの4倍以上となる、52×68mmの広い画角を一括で露光することが可能です。これにより、複数の大型半導体チップを接合するヘテロジニアスインテグレーションへの対応が可能となります。また、1.5µmの高い解像力で、微細な再配線パターンの露光が可能で、さまざまな先端パッケージングに対応することができます。さらに、高解像力オプションを使用することで、1.0µmの高解像力で再配線パターンを露光できます。

■ 「FPA-5520iV」の基本性能を継承
パッケージング工程での量産課題である再構成基板（※6）の反った形状に対する柔軟な対応力や、チップ配列のばらつきが大きい再構成基板でもアライメントマークを検出し稼働率を向上させる高い生産性などで好評を得ている「FPA-5520iV」で実現した基本性能を継承しています。

※1　繊細な半導体チップを外部環境から保護し、実装する際に外部との電気接続を可能にすること。
※2　1µm（マイクロメートル）は、100万分の1メートル（＝1000分の1mm）。
※3　i線（水銀ランプ波長365nm）の光源を利用した半導体露光装置。1nm（ナノメートル）は10億分の1メートル。
※4　半導体チップ間または半導体チップとバンプ（突起状の接続電極）の間をつなげる配線。
※5　CPUとDRAM、CPUとGPUなど異種チップを一つにするパッケージング。それぞれのチップを近くに置き、多くの回路でつなぎ一体化することで、処理能力を上げることができる。
※6　半導体露光装置の前工程で製造されたウエハーから個片化された複数の半導体チップを配列し、樹脂でウエハー形状に固めた基板。