「NILによる超微細半導体の省エネルギー加工技術」が「環境賞」を受賞　最先端ロジック製造のパターン形成時における消費電力の大幅削減が可能

キヤノン株式会社（以下キヤノン）、大日本印刷株式会社（以下大日本印刷）、キオクシア株式会社（以下キオクシア）による「NIL（ナノインプリントリソグラフィ）による超微細半導体の省エネルギー加工技術」が、国立研究開発法人 国立環境研究所／日刊工業新聞社主催、環境省後援の「第49回 環境賞（※1）」で「優良賞」を受賞しました。

NIL技術を使用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」

キヤノン、大日本印刷、キオクシアは共同で、既存の半導体製造レベル（最小線幅15nm（※2））のNILによるパターン形成に成功しています。これは、現在の最先端ロジック半導体製造レベル（5ナノノード（※3））に相当します。NIL技術を半導体製造に適用することで、パターン形成時の消費電力を既存の最先端ロジック向け露光技術と比べて、約10分の1まで削減できます。
「環境賞」では、半導体製造時の消費電力削減に貢献し、今後のIoT社会の急速な拡大を支える技術として評価され、「優良賞」を受賞しました。
半導体露光装置は、半導体デバイスの高性能化に伴い、光源を短波長化することで微細化を達成する歴史が続いてきました。NILは、短波長化に代わる新たな技術として、さらなる微細化を目指しています。従来の露光技術が光で回路を焼き付けるのに対し、NILはパターンを刻み込んだマスク（型）をウエハー上に塗布された樹脂にスタンプのように押し付けて回路を形成します。光学系という介在物がないため、マスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現できます。複雑な2次元、3次元のパターンを1回のインプリント（※4）で形成できることもNILの特長の1つです。

キヤノンはこの受賞を励みに、今後も豊かさと環境が両立する未来のため、技術革新で貢献していきます。

※1　環境賞の詳細は、ホームページをご覧ください。https://biz.nikkan.co.jp/sanken/kankyo/index.html
※2　1nm（ナノメートル）は、10億分の1メートル。
※3　半導体製造プロセスの技術世代の呼び名。
※4  ナノインプリントを用いたパターニング工程。NIL（ナノインプリントリソグラフィ）の詳細はこちらをご覧ください。https://global.canon/ja/technology/frontier07.html

＜ご参考＞
■  キヤノンテクノロジーサイト
NIL（ナノインプリントリソグラフィ）についてわかりやすく説明しています。
https://global.canon/ja/technology/frontier07.html

■ キヤノン露光装置サイト
NIL（ナノインプリントリソグラフィ）を含めた露光装置の仕組みや性能をイラストや動画で分かりやすく説明しています。露光の仕組みをやさしく紹介するキッズ向けページも用意しています。
https://global.canon/ja/product/indtech/semicon/50th/