7月29日(水) AndTech「SiC・GaNパワーデバイスの最新技術と応用展開～xEV・AIサーバーを支える半導体、熱マネジメント材料および社会実装技術～」Zoomセミナーを開講予定

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社　竹谷氏、ローム株式会社　樋口氏、富士高分子工業　片石氏、沖電気工業株式会社　桑原氏がSiC・GaNパワーデバイスの最新技術と応用展開について解説します。

AndTech

2026年6月26日 15時39分

株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、電動化・省エネルギー化を支える次世代パワーデバイス技術について、Si・SiC・GaNデバイスの基礎から高効率化・高耐圧化技術、実装・信頼性評価、最新の応用展開までを学ぶべく、「パワーデバイス最新技術と応用展開」講座を開講いたします。

★インフィニオンによる車載SiCパワー半導体、ロームによるGaNパワーデバイスなど、最新のWBGパワー半導体技術と応用動向を学べる！

★高熱伝導樹脂材料（TIM）の基礎から最新開発事例まで、パワーデバイスの熱マネジメント技術を詳しく解説！

★縦型GaNデバイスの社会実装を支えるQST×CFB技術など、次世代実装・接合技術の最新動向を理解できる！

本講座は、2026年7月27日開講を予定いたします。詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f16e1bb-1432-6d3e-83b2-064fb9a95405

Live配信・WEBセミナー講習会　概要

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テーマ：SiC・GaNパワーデバイスの最新技術と応用展開～xEV・AIサーバーを支える半導体、熱マネジメント材料および社会実装技術～

開催日時：2026年7月29日(水) 13:00-17:30

参加費：60,500円（税込） ※電子にて資料配布予定

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f16e1bb-1432-6d3e-83b2-064fb9a95405

WEB配信形式：「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　　　　　　　　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

セミナー講習会内容構成

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　ープログラム・講師ー

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第1部　インフィニオンのxEV向け高耐圧パワー半導体システムソリューション

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講師インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社　オートモーティブ事業本部　テクニカルマーケティング　竹谷　英一　氏

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第2部　次世代WBGデバイスGaNの性能とAI-Serverへの応用例

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講師ローム株式会社　マーケティング本部　樋口　泰生　氏

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第3部　パワーデバイス向け高熱伝導樹脂材料の課題と研究開発事例

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講師富士高分子工業株式会社　開発部　副主席部員　片石　拓海　氏

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第4部　縦型GaNパワーデバイスの社会実装に向けた課題とQST×CFBによる解決アプローチ

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講師沖電気工業株式会社　アドバンストコンポーネント事業部　CFB事業開発部　応用技術開発第三チーム　チームマネージャー　桑原　秀治　氏

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本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

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Si・SiC・GaNパワーデバイスの特徴と適用分野、それぞれの使い分けを理解できる

高耐圧・高効率・高速スイッチングを実現するパワーデバイスの設計・開発動向を把握できる

パワーモジュールの実装・パッケージング技術と信頼性向上のポイントを学べる

EV、再生可能エネルギー、産業機器、データセンターなどにおける最新の応用事例を理解できる

次世代パワーエレクトロニクスを支える材料・デバイス・システム技術の最新動向を把握できる

下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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第1部　インフィニオンのxEV向け高耐圧パワー半導体システムソリューション

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【講演主旨】

　本講演は、インフィニオンが提供する車載SiCパワー半導体の最新ソリューションを、数値と適用事例に基づき要点を整理してご紹介します。材料からモジュール、システム統合までを一連で捉え、効率・航続・充電・小型化、さらにコストや信頼性、サステナビリティの観点で生まれる価値を描きます。終盤では、さらなる応用技術や最新プロセステクノロジーのような最新技術・動向も紹介いたします。また、冷却・EMI・ゲートドライバなどのシステム課題へのアプローチも取り上げ、評価指針や設計上の留意点にも触れて、実装に役立つ視点を提供します。

【プログラム】

はじめに：xEVとパワーエレクトロニクスの全体像

1.半導体材料と特性（Si/SiC/GaNの比較、温度・損失）

2.車載アプリケーション適用事例（トラクション、OBC、DC/DC）

3.SiCがxEVに貢献する定量効果

　3.1 SiC MOSFETとIGBTの挙動差

　3.2 ミッションプロファイルとの関係

　3.3 損失計算による定量評価

　3.4 高温化に伴う最大定格の拡大

4.プロセス技術（オン抵抗のトレードオフとブレイクスル―技術）

5.製品ポートフォリオとロードマップ

6.応用技術

　6.1 Si/SiC並列利用（Fusion）をはじめとした

　6.2 システムレベルソリューション（冷却、EMI、ゲートドライバ連携）

まとめ・Q&A

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第2部　次世代WBGデバイスGaNの性能とAI-Serverへの応用例

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【講演主旨】

　近年、AI Serverの急速な需要の伸びにともない、エネルギー問題が大きな課題となっております。電源システムの電力変換効率の向上に加えて、GPUの消費電力の増加に伴いラックでの電力要求も急増しており従来の電源システムからより効率的に電源供給を行うシステムへの変換が進んでおります。このような市場の流れの中で、次世代WGBデバイスであるGallium Nitride: GaNは、次世代のパワーデバイスとして電源の効率向上、電源密度の向上に大きく貢献できるデバイスとしてきたいされております。

　本講義では、GaNデバイスの構造、性能について解説し、AI Serverで求められる電源システム例を紹介し、実アプリケーションにおけるGaNの優位性について解説を行います。

【プログラム】

1.AI Serverの電源システム

　1.1 AI Serverの現状と将来

　1.2 AI Serverの電源システムの過去から現在、そして将来

2.GaNの基礎

　2.1 GaNデバイス構造

　2.2 GaN性能の優位点

　2.3 GaN駆動方法

3.GaNの応答例

　3.1 AI Server電源システム構成と代表的回路トポロジー

　3.2 Totem Pole PFCにおけるGaN応用例

　3.3 LLCにおけるGaN応用例

　3.4 Vienna RectifierにおけるGaN応用例

【質疑応答】

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第3部　パワーデバイス向け高熱伝導樹脂材料の課題と研究開発事例

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【講演主旨】

　放熱材(Thermal Interface Material, 以下TIMとする)についての概論をTIM開発者の視点で紹介する (熱伝導性フィラー選定の考え方、TIMの製造工程、TIMの熱物性評価方法)。　また、TIMの開発事例として以下の3例を紹介する。(1) 250℃高耐熱シリコーン系TIM, (2)カプセル化鉄触媒(神谷触媒)で付加反応硬化する白金フリーなシリコーン系TIM, (3) 六方晶窒化ホウ素を用いたシリコーン系低比重TIM

【プログラム】

1.サーマルインターフェースマテリアル(TIM)の概要

2.TIMの利用分野

3.TIMの基本技術

4.熱伝導性フィラー

5.TIMの熱物性測定方法

6.パワーデバイスにおけるTIMのニーズ

7.シリコーン系TIM製品の分類について

8.高耐熱(250℃)シリコーン系TIMの開発事例

9.カプセル化鉄触媒(神谷触媒)を応用したシリコーン系TIMの開発事例

10.六方晶窒化ホウ素を用いたシリコーン系高熱伝導TIMの開発事例

【質疑応答】