9月8日(火) AndTech「次世代パワー半導体の熱マネジメントを支える熱設計・放熱基板・界面熱抵抗評価およびパワーデバイス技術の最新動向」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定
足利大学 西氏、株式会社Niterra Materials 那波氏、株式会社ThermieL/名古屋大学 藤田氏、三菱電機株式会社 増岡氏/阪口氏にご講演をいただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せる熱マネジメント技術での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「パワー半導体 熱設計 放熱基板 」講座を開講いたします。
パワー半導体の発熱メカニズムと熱設計・熱シミュレーションの基礎から、xEV・SiC時代を支える窒化ケイ素放熱基板や界面熱抵抗評価技術、さらに最新Siパワーデバイスの低損失化・高信頼化技術まで、デバイス・材料・評価・実装を一貫して解説し、次世代パワーモジュールの高性能化・高信頼化を支える熱マネジメント技術を習得できる講座！
本講座は、2026年09月08日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f17f516-0321-612a-97f2-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：次世代パワー半導体の熱マネジメントを支える熱設計・放熱基板・界面熱抵抗評価およびパワーデバイス技術の最新動向
開催日時：2026年09月08日(火) 10:30-16:50
参 加 費：66,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f17f516-0321-612a-97f2-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
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第1部 パワー半導体の発熱メカニズムおよび熱設計
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講師 足利大学 工学部創生工学科電気電子分野／教授 西 剛伺 氏
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第2部 パワーモジュール向け窒化ケイ素セラミックス基板の技術動向とその応用
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講師 株式会社Niterra Materials 営業管理課 那波 隆之 氏
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第3部 ロックインサーモグラフィ式レーザー周期加熱法によるパワー半導体用放熱基板の界面熱抵抗測定
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講師 株式会社ThermieL / 名古屋大学 CEO / 工学研究科 機械システム工学専攻 長野研 / 特任講師 藤田 涼平 氏
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第4部 脱炭素社会をささえる次世代Siパワーデバイス技術 ― IGBT／Diode／RC-IGBTの高性能化動向 ―
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講師 三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 開発部 Siデバイス開発G 増岡 史仁 氏 / 阪口 浩介 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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・パワー半導体の熱設計に関する基礎知識
・パワー半導体パッケージの構成と熱の流れ
・半導体の熱シミュレーションのしくみ、考え方
・熱回路網を用いた温度予測
・熱回路網を用いた伝熱経路の把握手法
・xEV等向けパワーモジュール用セラミックス材料の基礎知識
・注目が集まる「窒化ケイ素基板」の特徴と基本特性
・実際のPCUへの応用事例と最新の技術動向
・パワーデバイスの基本動作と、損失・発熱が生じるメカニズム
・Si-IGBT／Diodeの低損失化、高耐圧化、高信頼化に向けた設計の考え方
・CSTBT™、薄ウエハ化、CPL、スプリットゲート、シャローアクティブトレンチなどの最新技術動向
・再生可能エネルギー、電力・電鉄、民生・車載用途におけるSiパワーデバイスの開発事例
・RC-IGBTの基本構造、熱的メリット、チップ内Diode配置、リカバリ損失低減技術の概要
・放熱・実装・基板材料技術者が知っておきたい、デバイス側の発熱抑制・熱的課題への対応
・Siパワーデバイスの今後の技術展望
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
株式会社AndTech 技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search
株式会社AndTech 書籍一覧
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
株式会社AndTech コンサルティングサービス
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting
本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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第1部 パワー半導体の発熱メカニズムおよび熱設計
【講演主旨】
近年では、電源回路、モータ駆動回路を中心に、パワー半導体の熱設計が重要になってきている。本セミナーでは、これらの半導体の構造や発熱メカニズムから、伝熱経路、温度予測手法や伝熱経路のボトルネック把握手法等について解説する。
【プログラム】
1.パワー半導体の熱設計基礎
1.1 伝熱の基礎
1.2 熱抵抗の考え方
2.半導体パッケージの構造と発熱メカニズム
2.1 パワー半導体の発熱メカニズム
2.2 ディスクリート（個別）半導体パッケージの構造
2.3 パワーモジュールの構造
3.半導体の伝熱経路と主な放熱機構
3.1 半導体パッケージの伝熱経路
3.2 主な放熱機構
3.2.1 ヒートスプレッダ、自然空冷ヒートシンク
3.2.2 ファン付きヒートシンク
3.2.3 リモートヒートエクスチェンジャ
3.2.4 水冷モジュール等
4.半導体の温度予測、伝熱経路の把握
4.1 半導体の3次元熱シミュレーション
4.2 熱回路網を用いた温度予測
4.3 熱回路網を用いた熱シミュレーション結果の整理
4.3.1 1次元熱回路網による伝熱経路のブレークダウン
4.3.2 構造関数/熱インピーダンス分布による伝熱経路の把握
【質疑応答】
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第2部 パワーモジュール向け窒化ケイ素セラミックス基板の技術動向とその応用
【講演主旨】
電気自動車（BEV・HEV；xEV）の普及や次世代半導体（SiC）の採用拡大に伴い、パワーコントロールユニット（PCU）にはこれまで以上の「高い信頼性」と「効率的な放熱」が求められている。
本セミナーでは、その鍵を握る素材として注目を集める「窒化ケイ素基板」を中心に、各種セラミックス基板材料の特徴や基本特性をわかりやすく解説します。さらに、実際のPCUへの応用事例や、最新の技術動向まで網羅して紹介する。
【プログラム】
1. パワーモジュール向けセラミックス基板の概要
1.1 セラミックス基板への要求特性
1.2 分野別材質適用動向
1.3 各種セラミックス回路基板の種類と特徴
1.4 各種セラミックス回路基板の応用経緯
1.5 熱伝導特性向上について
2. 窒化ケイ素基板の主要特性
2.1 放熱性
2.2 電気的特性
2.3 機械的強度特性
2.4 その他
3. 窒化ケイ素基板の応用事例と将来展望
3.1 パワーモジュールの基本断面構造
3.2 PCUへの応用
3.3 新構造への適用
3.4 将来展望
4. まとめ
【質疑応答】
【講演のポイント】
セラミックス銅回路基板技術からパワーモジュール実装技術に携わった経験をもとに、単なる基礎知識の解説にとどまらず、基板市場動向や、実際のEV用PCUへの応用事例や最新トレンドまで網羅して紹介する。
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第3部 ロックインサーモグラフィ式レーザー周期加熱法によるパワー半導体用放熱基板の界面熱抵抗測定
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第4部 脱炭素社会をささえる次世代Siパワーデバイス技術 ― IGBT／Diode／RC-IGBTの高性能化動向 ―
【講演主旨】
2050年カーボンニュートラル社会の実現に向け、電力変換機器の高効率化・小型化・高信頼化が重要となっている。本講演では、パワーデバイスを専門としない方にも理解しやすいよう、Siパワーデバイスの基本動作を概説する。そのうえで、Si-IGBT、Diode、RC-IGBTの低損失化、高耐圧化、高信頼化に向けた最新開発事例を解説する。放熱・実装・基板材料に携わる方にとっても、デバイス側でどのように発熱を抑え、熱的課題に対応しているかをより深く理解する一助とする。
【プログラム】
1. パワーデバイスの基本動作と損失・発熱の考え方
2. 三菱電機のSiパワーデバイスの変遷
3. 再エネ向け第８世代IGBT・Diode技術
3.1 スプリットゲート構造によるゲート容量最適化技術
3.2 新しいバッファ層技術 (CPL技術)
4. 電力・電鉄向けIGBT・Diode技術
4.1 シャローアクティブトレンチ構造によるゲート容量最適化技術
4.2 耐環境性能を実現する終端構造
5. 民生・車載向け第3世代RC-IGBT技術
5.1 RC-IGBTチップ内ダイオード配置技術による放熱性向上
5.2 RC-IGBT用低キャリア注入ダイオード構造によるリカバリ損失低減
【質疑応答】
【講演のポイント】
Siパワーデバイス開発・量産化の実務経験をもとに、損失・発熱の基礎とIGBT／Diode／RC-IGBTの最新開発事例を解説し、放熱・実装・基板材料に携わる方にもデバイス側の視点を提供する。
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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