小型基板向け半導体露光装置“FPA-3030i5a”を発売 多様な半導体デバイス製造とCoO(Cost of Ownership)の低減を実現

キヤノンは、半導体露光装置の新製品として、化合物半導体などのデバイス製造に対応し、半導体製造に必要な総コストの指標であるCoOを低減したi線(※1)ステッパー“FPA-3030i5a”を2021年3月上旬に発売します。

FPA-3030i5aFPA-3030i5a

新製品は8インチ以下の小型基板向け半導体露光装置で、シリコンだけではなく、SiC(シリコンカーバイト)やGaN(ガリウムナイトライド)などの化合物半導体のウエハーに対応することで、多様な半導体デバイス製造が可能です。これにより、今後需要が見込まれる車載向けパワーデバイスや5G対応の通信デバイスなどの半導体デバイス製造に対応します。また、従来機種「FPA-3030i5+」(2012年6月発売)から、ハードウエアとソフトウエアを刷新し、CoOを低減しています。

■ さまざまなウエハーに対応することで多様な半導体デバイス製造が可能
サイズが直径2インチ(50mm)から直径8インチ(200mm)までの化合物半導体など多様なウエハーに対応可能な搬送システムを採用しています。さらに、投影レンズを通さずにアライメントマークを計測する新アライメントスコープの採用により、幅広い波長でのアライメント計測が可能です。裏面アライメント(TSA: Through Si Alignment)もオプションとして選ぶことができ、さまざまな顧客の製造プロセスに対応します。また、従来機種の解像力を継承し、0.35マイクロメートル(※2)の線幅パターンの露光が可能です。これらの機能の搭載により、SiCなどの化合物半導体を含む幅広いウエハー素材で、パワーデバイスや通信デバイスの製造が可能です。

■ ハードウエアとソフトウエア刷新によるCoOの低減
アライメントマークの計測時間を短縮した新アライメントスコープや高速化した搬送システムなどのハードウエアの採用と、ソフトウエアの刷新により、従来機種と比べ生産性が約17%向上しました。8インチ(200mm)のウエハーにおいて123wph(Wafers per hour)のウエハー処理が可能です。また、露光装置内を一定環境に保つチャンバーの温度制御方式を変更したことで、消費電力を従来機種から約20%削減しました。これらの改善により、CoOの低減を求めるユーザーのニーズに応えます。

※1 i線(水銀ランプ波長365nm)の光源を利用した半導体露光装置。1nm(ナノメートル)は10億分の1メートル。
※2 1マイクロメートルは、100万分の1メートル(=1000分の1mm)。

<「キヤノン露光装置50周年記念ウェブサイト」について>
キヤノンが、露光装置事業に本格参入して今年で50周年を迎えました。50周年に際し、「露光装置」の仕組みや性能をイラストや動画で分かりやすく説明した「キヤノン露光装置50周年記念ウェブサイト」を公開しています。露光の仕組みを分かりやすく紹介するキッズ向けページも用意しています。
URL:https://global.canon/ja/product/indtech/semicon/50th/
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